Transistor IGBT HGTG12N60A4
| Quantité | HT | TTC |
|---|---|---|
| 1 - 1 | 12.31$ | 12.93$ |
| 2 - 2 | 11.69$ | 12.27$ |
| 3 - 4 | 11.08$ | 11.63$ |
| 5 - 9 | 10.46$ | 10.98$ |
| 10 - 19 | 10.21$ | 10.72$ |
| 20 - 29 | 9.97$ | 10.47$ |
| 30+ | 9.60$ | 10.08$ |
| Quantité | U.P | |
|---|---|---|
| 1 - 1 | 12.31$ | 12.93$ |
| 2 - 2 | 11.69$ | 12.27$ |
| 3 - 4 | 11.08$ | 11.63$ |
| 5 - 9 | 10.46$ | 10.98$ |
| 10 - 19 | 10.21$ | 10.72$ |
| 20 - 29 | 9.97$ | 10.47$ |
| 30+ | 9.60$ | 10.08$ |
Transistor IGBT HGTG12N60A4. Transistor IGBT. RoHS: oui. Famille de composants: transistor IGBT. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-247. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 12N60A4. Tension collecteur-émetteur Uce [V]: 600V. Courant de collecteur Ic [A]: 54A. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 17 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 110 ns. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 5.6V. Dissipation maximale Ptot [W]: 167W. Courant de collecteur maxi (A): 96A. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Quantité en stock actualisée le 26/04/2025, 08:25.
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