Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 1.88$ | 1.97$ |
5 - 9 | 1.78$ | 1.87$ |
10 - 24 | 1.73$ | 1.82$ |
25 - 49 | 1.69$ | 1.77$ |
50 - 99 | 1.65$ | 1.73$ |
100 - 249 | 1.57$ | 1.65$ |
250 - 2926 | 1.45$ | 1.52$ |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 1.88$ | 1.97$ |
5 - 9 | 1.78$ | 1.87$ |
10 - 24 | 1.73$ | 1.82$ |
25 - 49 | 1.69$ | 1.77$ |
50 - 99 | 1.65$ | 1.73$ |
100 - 249 | 1.57$ | 1.65$ |
250 - 2926 | 1.45$ | 1.52$ |
Transistor canal P, 0.23A, 500nA, TO-92, TO-92, 45V - BS250P. Transistor canal P, 0.23A, 500nA, TO-92, TO-92, 45V. Id (T=25°C): 0.23A. Idss (maxi): 500nA. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension Vds(max): 45V. C (in): 60pF. Type de canal: P. Protection drain-source: non. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Protection G-S: non. Id(imp): 3A. Idss (min): -0.23A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.7W. Résistance passante Rds On: 14 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 20 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3.5V. Vgs(th) min.: 1V. Produit d'origine constructeur Diodes Incorporated. Quantité en stock actualisée le 13/06/2025, 14:25.
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