Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), SO8, 30 v, 13.6A - IRF7821PBF

Quantité	HT	TTC
1 - 4	2.77$	2.91$
5 - 9	2.63$	2.76$
10 - 24	2.49$	2.61$
25 - 49	2.35$	2.47$
50 - 99	2.30$	2.42$
100 - 249	1.75$	1.84$
250 - 548	1.66$	1.74$

Quantité	U.P
1 - 4	2.77$	2.91$
5 - 9	2.63$	2.76$
10 - 24	2.49$	2.61$
25 - 49	2.35$	2.47$
50 - 99	2.30$	2.42$
100 - 249	1.75$	1.84$
250 - 548	1.66$	1.74$

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Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), SO8, 30 v, 13.6A - IRF7821PBF. Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), SO8, 30 v, 13.6A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SO8. Tension drain-source Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 13.6A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 8. Marquage du fabricant: F7821. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0091 Ohms @ 13A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2.5V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 6.3 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 9.7 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 1010pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 2.5W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +155°C. Quantité en stock actualisée le 03/05/2025, 03:25.

Documentation technique