Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 1.33$ | 1.40$ |
5 - 9 | 1.26$ | 1.32$ |
10 - 24 | 1.20$ | 1.26$ |
25 - 49 | 0.76$ | 0.80$ |
50 - 99 | 0.74$ | 0.78$ |
100 - 132 | 0.72$ | 0.76$ |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 1.33$ | 1.40$ |
5 - 9 | 1.26$ | 1.32$ |
10 - 24 | 1.20$ | 1.26$ |
25 - 49 | 0.76$ | 0.80$ |
50 - 99 | 0.74$ | 0.78$ |
100 - 132 | 0.72$ | 0.76$ |
Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), SO8, 50V, 3A - IRF7103PBF. Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), SO8, 50V, 3A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SO8. Tension drain-source Uds [V]: 50V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 8. Marquage du fabricant: F7103. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.13 Ohms @ 3A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 20 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 70 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 290pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 2W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Quantité en stock actualisée le 02/05/2025, 16:25.
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