Transistor canal N, 10A, TO-247, TO-247, 1200V - HGTG5N120BND

Quantité	HT	TTC
1 - 1	7.90$	8.30$
2 - 2	7.50$	7.88$
3 - 4	7.27$	7.63$
5 - 9	7.11$	7.47$
10 - 19	6.95$	7.30$
20 - 29	6.71$	7.05$
30 - 73	6.48$	6.80$

Quantité	U.P
1 - 1	7.90$	8.30$
2 - 2	7.50$	7.88$
3 - 4	7.27$	7.63$
5 - 9	7.11$	7.47$
10 - 19	6.95$	7.30$
20 - 29	6.71$	7.05$
30 - 73	6.48$	6.80$

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Transistor canal N, 10A, TO-247, TO-247, 1200V - HGTG5N120BND. Transistor canal N, 10A, TO-247, TO-247, 1200V. Ic(T=100°C): 10A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Tension collecteur/émetteur Vceo: 1200V. Diode CE: oui. Type de canal: N. Diode au Germanium: non. Courant de collecteur: 25A. Ic(puls): 40A. Marquage sur le boîtier: 5N120BND. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 167W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 182 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: Transistor IGBT série NPT avec diode hyperrapide anti-parallèle. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 2.45V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 3.7V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 6V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6.8V. Produit d'origine constructeur ON Semiconductor. Quantité en stock actualisée le 26/07/2025, 20:25.

Documentation technique

Transistor canal N, 10A, TO-247, TO-247, 1200V - HGTG5N120BND

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