Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 3.66$ | 3.84$ |
5 - 9 | 3.48$ | 3.65$ |
10 - 24 | 3.30$ | 3.47$ |
25 - 49 | 3.11$ | 3.27$ |
50 - 97 | 3.04$ | 3.19$ |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 3.66$ | 3.84$ |
5 - 9 | 3.48$ | 3.65$ |
10 - 24 | 3.30$ | 3.47$ |
25 - 49 | 3.11$ | 3.27$ |
50 - 97 | 3.04$ | 3.19$ |
Transistor canal N, 12.1A, 19A, 100uA, 0.14 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 200V - FQPF19N20C. Transistor canal N, 12.1A, 19A, 100uA, 0.14 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 200V. Id (T=100°C): 12.1A. Id (T=25°C): 19A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.14 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 200V. C (in): 830pF. C (out): 195pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 208 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 76A. Idss (min): 10uA. Dissipation de puissance maxi: 43W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 135 ns. Td(on): 15 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Tension grille/source VGS (off) min.: 2V. Vgs(th) max.: 4 v. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Technologie: transistor MOSFET à canal N (DMOS, QFET). Protection drain-source: oui. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 30/04/2025, 20:25.
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