Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 2.72$ | 2.86$ |
5 - 9 | 2.58$ | 2.71$ |
10 - 24 | 2.45$ | 2.57$ |
25 - 49 | 2.31$ | 2.43$ |
50 - 99 | 2.26$ | 2.37$ |
100 - 249 | 3.26$ | 3.42$ |
250 - 375 | 4.06$ | 4.26$ |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 2.72$ | 2.86$ |
5 - 9 | 2.58$ | 2.71$ |
10 - 24 | 2.45$ | 2.57$ |
25 - 49 | 2.31$ | 2.43$ |
50 - 99 | 2.26$ | 2.37$ |
100 - 249 | 3.26$ | 3.42$ |
250 - 375 | 4.06$ | 4.26$ |
Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-220, 60V, 52.4A, TO-220, 60V, 1 - FQP50N06L. Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-220, 60V, 52.4A, TO-220, 60V, 1. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Tension drain-source Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 52.4A. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 60V. Boîtier (norme JEDEC): 1. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: FQP50N06L. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.025 Ohms @ 26.2A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2.5V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 50 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 170 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 1630pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 121W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 80 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: DMOS, QFET, LOGIC N-Ch. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.5V. Vgs(th) min.: 1V. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C. Spec info: niveau logique. Quantité en stock actualisée le 30/04/2025, 21:25.
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