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Transistor PNP, TO-220, 8A, TO-220AB, 150V - MJE15031G

Transistor PNP, TO-220, 8A, TO-220AB, 150V - MJE15031G
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1 - 4 3.04$ 3.19$
5 - 9 2.89$ 3.03$
10 - 24 2.74$ 2.88$
25 - 49 2.59$ 2.72$
50 - 99 2.66$ 2.79$
100 - 113 2.96$ 3.11$
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Transistor PNP, TO-220, 8A, TO-220AB, 150V - MJE15031G. Transistor PNP, TO-220, 8A, TO-220AB, 150V. Boîtier: TO-220. Courant de collecteur: 8A. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension collecteur/émetteur Vceo: 150V. Résistance B: Transistor de puissance. Résistance BE: -150V. C (in): -8A. C (out): 50W. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 30 MHz. Fonction: pour amplificateur audio. Gain hFE maxi: 40. Gain hFE mini: 20. Ic(puls): 16A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 50W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 150V. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJE15030G. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité en stock actualisée le 27/04/2025, 06:25.

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Transistor PNP, 8A, TO-220, TO-220, 150V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 150V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 30 MHz. Fonction: pour amplificateur audio. Gain hFE maxi: 40. Gain hFE mini: 20. Ic(puls): 16A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 50W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 150V. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJE15031. Diode BE: non. Diode CE: non
MJE15031
Transistor PNP, 8A, TO-220, TO-220, 150V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 150V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 30 MHz. Fonction: pour amplificateur audio. Gain hFE maxi: 40. Gain hFE mini: 20. Ic(puls): 16A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 50W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 150V. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJE15031. Diode BE: non. Diode CE: non
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