Transistor NPN, 30A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3 ( TO-204 ), 120V - MJ11016G

Quantité	HT	TTC
1 - 1	19.62$	20.60$
2 - 2	18.64$	19.57$
3 - 4	17.66$	18.54$
5 - 9	16.68$	17.51$
10 - 14	14.19$	14.90$
15 - 19	13.85$	14.54$
20 - 36	13.34$	14.01$

Quantité	U.P
1 - 1	19.62$	20.60$
2 - 2	18.64$	19.57$
3 - 4	17.66$	18.54$
5 - 9	16.68$	17.51$
10 - 14	14.19$	14.90$
15 - 19	13.85$	14.54$
20 - 36	13.34$	14.01$

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Transistor NPN, 30A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3 ( TO-204 ), 120V - MJ11016G. Transistor NPN, 30A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3 ( TO-204 ), 120V. Courant de collecteur: 30A. Boîtier: TO-3 ( TO-204 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3 ( TO-204 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 120V. RoHS: oui. Résistance B: oui. Résistance BE: soudure sur circuit imprimé. C (in): 4pF. C (out): TO-204AA. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 4 MHz. Gain hFE mini: 1000. Ic(puls): +200°C. Remarque: hFE 1000 (IC=20Adc, VCE=5Vdc). Remarque: 8k Ohms (R1), 40 Ohms (R2). Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 200W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+200°C. Vcbo: 120V. Tension de saturation VCE(sat): 3V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJ11015. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité en stock actualisée le 27/04/2025, 12:25.

Documentation technique