Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 1 | 19.62$ | 20.60$ |
2 - 2 | 18.64$ | 19.57$ |
3 - 4 | 18.25$ | 19.16$ |
5 - 9 | 17.66$ | 18.54$ |
10 - 14 | 15.05$ | 15.80$ |
15 - 19 | 14.53$ | 15.26$ |
20 - 36 | 14.02$ | 14.72$ |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 1 | 19.62$ | 20.60$ |
2 - 2 | 18.64$ | 19.57$ |
3 - 4 | 18.25$ | 19.16$ |
5 - 9 | 17.66$ | 18.54$ |
10 - 14 | 15.05$ | 15.80$ |
15 - 19 | 14.53$ | 15.26$ |
20 - 36 | 14.02$ | 14.72$ |
Transistor NPN, 30A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3 ( TO-204 ), 120V - MJ11016G. Transistor NPN, 30A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3 ( TO-204 ), 120V. Courant de collecteur: 30A. Boîtier: TO-3 ( TO-204 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3 ( TO-204 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 120V. RoHS: oui. Résistance B: oui. Diode BE: non. Résistance BE: soudure sur circuit imprimé. C (in): 4pF. C (out): TO-204AA. Diode CE: non. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 4 MHz. Gain hFE mini: 1000. Ic(puls): +200°C. Remarque: hFE 1000 (IC=20Adc, VCE=5Vdc). Remarque: 8k Ohms (R1), 40 Ohms (R2). Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 200W. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJ11015. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+200°C. Vcbo: 120V. Tension de saturation VCE(sat): 3V. Vebo: 5V. Produit d'origine constructeur Onsemi. Quantité en stock actualisée le 14/06/2025, 06:25.
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