Transistor canal N, 10A, 17A, 250uA, 0.07 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V - IRFZ24N

Quantité	HT	TTC
1 - 4	1.41$	1.48$
5 - 9	1.34$	1.41$
10 - 24	1.27$	1.33$
25 - 49	1.20$	1.26$
50 - 99	1.17$	1.23$
100 - 142	1.14$	1.20$

Quantité	U.P
1 - 4	1.41$	1.48$
5 - 9	1.34$	1.41$
10 - 24	1.27$	1.33$
25 - 49	1.20$	1.26$
50 - 99	1.17$	1.23$
100 - 142	1.14$	1.20$

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Transistor canal N, 10A, 17A, 250uA, 0.07 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V - IRFZ24N. Transistor canal N, 10A, 17A, 250uA, 0.07 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. Id (T=100°C): 10A. Id (T=25°C): 17A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.07 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 55V. C (in): 370pF. C (out): 140pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 56 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 68A. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 45W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 19 ns. Td(on): 4.9 ns. Technologie: HEXFET® Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 27/04/2025, 00:25.

Documentation technique