Transistor canal N, 4.7A, 7.8A, 500uA, 1.2 Ohms, TO-247, TO-247AC, 800V - IRFPE50

Quantité	HT	TTC
1 - 4	7.10$	7.46$
5 - 9	6.74$	7.08$
10 - 24	6.39$	6.71$
25 - 49	6.03$	6.33$
50 - 99	5.89$	6.18$
100 - 127	5.11$	5.37$

Quantité	U.P
1 - 4	7.10$	7.46$
5 - 9	6.74$	7.08$
10 - 24	6.39$	6.71$
25 - 49	6.03$	6.33$
50 - 99	5.89$	6.18$
100 - 127	5.11$	5.37$

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Transistor canal N, 4.7A, 7.8A, 500uA, 1.2 Ohms, TO-247, TO-247AC, 800V - IRFPE50. Transistor canal N, 4.7A, 7.8A, 500uA, 1.2 Ohms, TO-247, TO-247AC, 800V. Id (T=100°C): 4.7A. Id (T=25°C): 7.8A. Idss (maxi): 500uA. Résistance passante Rds On: 1.2 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Tension Vds(max): 800V. C (in): 3100pF. C (out): 800pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 650 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 31A. Idss (min): 100uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 190W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 120ns. Td(on): 19 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 29/04/2025, 23:25.

Documentation technique