Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 1.40$ | 1.47$ |
5 - 9 | 1.33$ | 1.40$ |
10 - 24 | 1.26$ | 1.32$ |
25 - 49 | 1.19$ | 1.25$ |
50 - 99 | 1.16$ | 1.22$ |
100 - 108 | 1.02$ | 1.07$ |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 1.40$ | 1.47$ |
5 - 9 | 1.33$ | 1.40$ |
10 - 24 | 1.26$ | 1.32$ |
25 - 49 | 1.19$ | 1.25$ |
50 - 99 | 1.16$ | 1.22$ |
100 - 108 | 1.02$ | 1.07$ |
Transistor canal P, 19A, 250uA, TO-220, TO-220AB, 55V - IRF9Z34N. Transistor canal P, 19A, 250uA, TO-220, TO-220AB, 55V. Id (T=25°C): 19A. Idss (maxi): 250uA. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 55V. C (in): 620pF. C (out): 280pF. Type de canal: P. Trr Diode (Min.): 54ms. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET canal P. Id(imp): 68A. Id (T=100°C): 14A. Idss (min): 25uA. Dissipation de puissance maxi: 68W. Résistance passante Rds On: 0.10 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 30 ns. Td(on): 13 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 26/04/2025, 19:25.
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