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Composants et matériels électroniques, pour entreprises et particuliers
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Semi-conducteurs Transistors Transistors FET et MOSFET canal N

Transistor canal N, 3.5A, 5.5A, 50uA, 0.75 Ohms, TO-220, TO-220AB, 400V - IRF730-ST

Transistor canal N, 3.5A, 5.5A, 50uA, 0.75 Ohms, TO-220, TO-220AB, 400V - IRF730-ST
Quantité HT TTC
1 - 4 1.11$ 1.17$
5 - 9 1.06$ 1.11$
10 - 24 1.02$ 1.07$
25 - 49 1.00$ 1.05$
50 - 99 0.98$ 1.03$
100 - 249 0.94$ 0.99$
250+ 0.91$ 0.96$
Quantité U.P
1 - 4 1.11$ 1.17$
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10 - 24 1.02$ 1.07$
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Transistor canal N, 3.5A, 5.5A, 50uA, 0.75 Ohms, TO-220, TO-220AB, 400V - IRF730-ST. Transistor canal N, 3.5A, 5.5A, 50uA, 0.75 Ohms, TO-220, TO-220AB, 400V. Id (T=100°C): 3.5A. Id (T=25°C): 5.5A. Idss (maxi): 50uA. Résistance passante Rds On: 0.75 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 400V. C (in): 530pF. C (out): 90pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 280 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Protection G-S: NO. Id(imp): 22A. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 100W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 8 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: V-MOS. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Produit d'origine constructeur Stmicroelectronics. Quantité en stock actualisée le 14/06/2025, 19:25.

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Transistor canal N, 3.3A, 5.5A, 250uA, 1 Ohm, TO-220, TO-220AB, 400V. Id (T=100°C): 3.3A. Id (T=25°C): 5.5A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 1 Ohm. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 400V. RoHS: oui. C (in): 700pF. C (out): 170pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 270 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Protection G-S: non. Id(imp): 22A. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 75W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 38 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V
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