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Composants et matériels électroniques, pour entreprises et particuliers
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Diode GP10J

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Diode GP10J. Diode. Cj: 8pF. Trr Diode (Min.): 2us. Matériau semi-conducteur: silicium. IF(AV): 1A. IFSM: 30A. Remarque: 30Ap/8.3ms. IRM (max): 50uA. IRM (min): 5uA. Nombre de connexions: 2. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DO-204. Boîtier (selon fiche technique): DO-204AL ( 2.3x4.6mm ). Tension de seuil Vf (max): 1.1V. Tension de seuil Vf (min): 1.1V. VRRM: 600V. Produit d'origine constructeur General Semiconductor. Quantité en stock actualisée le 15/06/2025, 19:25.

Documentation technique

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Diode, 1A, 30A, DO-41, DO-41 ( 5.2X2.7mm ), 600V. IF(AV): 1A. IFSM: 30A. Boîtier: DO-41. Boîtier (selon fiche technique): DO-41 ( 5.2X2.7mm ). VRRM: 600V. Cj: 15pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: silicium. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: Ifms 300Ap t=8.3ms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.1V. Tension de seuil Vf (min): 1.1V
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