Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 3.11$ | 3.27$ |
5 - 9 | 3.19$ | 3.35$ |
10 - 24 | 3.05$ | 3.20$ |
25 - 49 | 2.90$ | 3.05$ |
50 - 99 | 2.84$ | 2.98$ |
100 - 117 | 2.77$ | 2.91$ |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 3.11$ | 3.27$ |
5 - 9 | 3.19$ | 3.35$ |
10 - 24 | 3.05$ | 3.20$ |
25 - 49 | 2.90$ | 3.05$ |
50 - 99 | 2.84$ | 2.98$ |
100 - 117 | 2.77$ | 2.91$ |
Transistor canal P, 15A, 1uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V - FDD5614P. Transistor canal P, 15A, 1uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V. Id (T=25°C): 15A. Idss (maxi): 1uA. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tension Vds(max): 60V. RoHS: oui. C (in): 759pF. C (out): 90pF. Type de canal: P. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): composant monté en surface (CMS). Type de transistor: MOSFET. Fonction: convertisseur de tension DC/DC. Id(imp): 45A. Id (T=100°C): 15A. Idss (min): 1uA. Remarque: transistor à commande de porte par niveau logique. Marquage sur le boîtier: FDD5614P. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 42W. Résistance passante Rds On: 0.076 Ohms. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 19 ns. Td(on): 7 ns. Technologie: PowerTrench MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 27/04/2025, 12:25.
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