Transistors FET et MOSFET canal N

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), D²-PAK, TO-263, 70V, 35A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: D²-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-263. Tension drain-source Uds [V]: 70V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 35A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: VNB35N07-E. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.028 Ohms @ 18A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 200 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 800 ns. Dissipation maximale Ptot [W]: 125W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +135°C

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), D²-PAK, TO-263, 42V, 49A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: D²-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-263. Tension drain-source Uds [V]: 42V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 49A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: VNB49N04. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.04 Ohms @ 25A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 600 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 2400 ns. Dissipation maximale Ptot [W]: 125W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +135°C

Transistor canal N, 1.7A, 75uA, 0.25 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 45V. Id (T=25°C): 1.7A. Idss (maxi): 75uA. Résistance passante Rds On: 0.25 Ohms. Boîtier: SOT-223 ( TO-226 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-223. Tension Vds(max): 45V. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Idss (min): 30uA. Remarque: sérigraphie/code CMS 1NV04P. Dissipation de puissance maxi: 7W. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET

Transistor canal N, 10A, 200uA, 0.10 Ohms, TO-220, TO-220, 70V. Id (T=25°C): 10A. Idss (maxi): 200uA. Résistance passante Rds On: 0.10 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 70V. C (out): 350pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 125 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Mosfet de puissance entièrement autoprotégé. Protection G-S: Diode Zéner. Id(imp): 14A. Idss (min): 50uA. IGF: 50mA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 50W. RoHS: oui. Spec info: limitation linéaire du courant. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 230 ns. Td(on): 50 ns. Technologie: OMNIFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C

Transistor canal N, 20A, 200uA, 0.05 Ohms, TO-220, TO-220AB, 70V. Id (T=25°C): 20A. Idss (maxi): 200uA. Résistance passante Rds On: 0.05 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 70V. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Mosfet de puissance entièrement autoprotégé. Idss (min): 50uA. Dissipation de puissance maxi: 83W. RoHS: oui. Spec info: Voltage Clamp 70V, I limit 20A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: OMNIFET. Dissipation maximale Ptot [W]: 83W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +135°C

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, MOSFET, 70V, 35A, 70V. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Boîtier (norme JEDEC): MOSFET. Tension drain-source Uds [V]: 70V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 35A. Tension Vds(max): 70V. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: VNP35N07. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.028 Ohms @ 18A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 200 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 1000 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 100 ns. Dissipation maximale Ptot [W]: 125W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +135°C. Utilisation: Ilim= 35A IR= -50A. Tension d'entrée Vin (max): 18V

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, 70V, 5A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Tension drain-source Uds [V]: 70V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 5A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: VNP5N07-E. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.2 Ohms @ 2.5A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 100 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 250 ns. Dissipation maximale Ptot [W]: 31W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +135°C

Transistor canal N, 3.5A, 75uA, 0.12 Ohms, SO, SO-8, 45V. Id (T=25°C): 3.5A. Idss (maxi): 75uA. Résistance passante Rds On: 0.12 Ohms. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 45V. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 107ns. Type de transistor: MOSFET. Idss (min): 30uA. Remarque: sérigraphie/code CMS S3NV04DP. Marquage sur le boîtier: S3NV04DP. Dissipation de puissance maxi: 4W. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 450 ns. Td(on): 90 ns. Technologie: OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, 650V, 38A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Tension drain-source Uds [V]: 650V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 38A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.099 Ohms @ 15A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 53 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 193 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 2940pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 277W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal N, 100V, 0.0055 Ohms, TO-220AB. Tension drain - source (Vds): 100V. Résistance passante Rds On: 0.0055 Ohms. Boîtier: TO-220AB. Type de transistor: transistor de puissance MOSFET. Type de canal: N. Courant de drain maxi: 130A. Puissance: 260W

Transistor canal N, 60V, 0.0029 Ohms, TO-220AB. Tension drain - source (Vds): 60V. Résistance passante Rds On: 0.0029 Ohms. Boîtier: TO-220AB. Type de transistor: transistor de puissance MOSFET. Type de canal: N. Courant de drain maxi: 200A. Puissance: 260W

Transistor canal N, 100V, 0.0086 Ohms, TO-220. Tension drain - source (Vds): 100V. Résistance passante Rds On: 0.0086 Ohms. Boîtier: TO-220. Type de transistor: transistor de puissance MOSFET. Type de canal: N. Courant de drain maxi: 70A. Puissance: 125W

Transistor canal N, 10A, 10A, 0.4 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 200V. Id (T=25°C): 10A. Idss (maxi): 10A. Résistance passante Rds On: 0.4 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 200V. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET N. Nombre de connexions: 3. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: Advanced Power MOSFET

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, 60V, 0.15A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Tension drain-source Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.15A. RoHS: non. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: ZVN3306F. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 5 Ohms @ 0.5A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2.4V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 5 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 6 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 35pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.33W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal N, 0.18A, 0.18A, 10 Ohms, TO-92, TO-92, 200V. Id (T=25°C): 0.18A. Idss (maxi): 0.18A. Résistance passante Rds On: 10 Ohms. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension Vds(max): 200V. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: niveau logique. Dissipation de puissance maxi: 0.7W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET

Transistor canal N, 3A, 3.8A, 1uA, 0.13 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 70V. Id (T=100°C): 3A. Id (T=25°C): 3.8A. Idss (maxi): 1uA. Résistance passante Rds On: 0.13 Ohms. Boîtier: SOT-223 ( TO-226 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-223. Tension Vds(max): 70V. C (in): 298pF. C (out): 35pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Protection G-S: non. Id(imp): 10A. Idss (min): 0uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 2W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 11.5 ns. Td(on): 1.9 ns. Technologie: 'Enhancement Mode MOSFET'. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V