Transistors FET et MOSFET canal N

Transistor canal N, 1.89A, 3A, 50uA, 3.6 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 900V. Id (T=100°C): 1.89A. Id (T=25°C): 3A. Idss (maxi): 50uA. Résistance passante Rds On: 3.6 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Tension Vds(max): 900V. C (in): 590pF. C (out): 63pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 510 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Zener-Protected. Protection G-S: oui. Id(imp): 12A. Idss (min): 1uA. Dissipation de puissance maxi: 25W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 45 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: SuperMESH Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55°C à +150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Tension grille/source VGS (off) max.: 4.5V. Tension grille/source VGS (off) min.: 3V

Transistor canal N, 2A, 4A, 50uA, 3 Ohms, 800V. Id (T=100°C): 2A. Id (T=25°C): 4A. Idss (maxi): 50uA. Résistance passante Rds On: 3 Ohms. Tension Vds(max): 800V. C (in): 700pF. C (out): 95pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 600 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Protection G-S: non. Id(imp): 16A. Idss (min): 1uA. Dissipation de puissance maxi: 100W. Td(off): 12 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: PowerMESH MOSFET. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V

Transistor canal N, 2.4A, 4A, 50uA, 3 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 800V. Id (T=100°C): 2.4A. Id (T=25°C): 4A. Idss (maxi): 50uA. Résistance passante Rds On: 3 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Tension Vds(max): 800V. C (in): 700pF. C (out): 95pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 600 ns. Type de transistor: MOSFET. Protection G-S: non. Id(imp): 16A. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 35W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 12 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: PowerMESH MOSFET. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, 500V, 3A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Tension drain-source Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: P4NK50Z. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 2.7 Ohms @ 1.5A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4.5V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 10 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 21 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 310pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 45W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal N, 2.5A, 4A, 4A, 1.76 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. Id (T=100°C): 2.5A. Id (T=25°C): 4A. Idss (maxi): 4A. Résistance passante Rds On: 1.76 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 600V. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Transistor MOSFET de puissance protégé par Zener. Id(imp): 16A. Dissipation de puissance maxi: 70W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: SuperMESH

Transistor canal N, 4A, 4A, TO-220FP, TO-220FP, 600V. Id (T=25°C): 4A. Idss (maxi): 4A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Tension Vds(max): 600V. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Transistor MOSFET de puissance protégé par Zener. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: SuperMESH

Transistor canal N, 1.89A, 3A, 3A, 3 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 800V. Id (T=100°C): 1.89A. Id (T=25°C): 3A. Idss (maxi): 3A. Résistance passante Rds On: 3 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Tension Vds(max): 800V. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Transistor MOSFET de puissance protégé par Zener. Dissipation de puissance maxi: 25W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: SuperMESH

Transistor canal N, 39A, 55A, 10uA, 0.019 Ohms, TO-220, TO-220, 60V. Id (T=100°C): 39A. Id (T=25°C): 55A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.019 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 60V. C (in): 3050pF. C (out): 380pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 110 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Protection G-S: non. Id(imp): 220A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: P55NE06. Nombre de connexions: 3. Température: +175°C. Dissipation de puissance maxi: 130W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(on): 30 ns. Technologie: transistor MOSFET de puissance. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

Transistor canal N, 60V, TO220. Vdss (tension drain à source): 60V. Boîtier: TO220. Dissipation de puissance maxi: 110W. Polarité: MOSFET N. Id @ Tc=25°C (courant de drain continu): 50A. Tension d'entraînement: 10V. Tension grille/source Vgs (Max): -20V. Type de montage: THT

Transistor canal N, 39A, 55A, 10uA, 0.016 Ohms, TO-220, TO-220, 60V. Id (T=100°C): 39A. Id (T=25°C): 55A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.016 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 60V. C (in): 1700pF. C (out): 300pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 80 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Protection G-S: non. Id(imp): 220A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: P55NF06L. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 95W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 40ms. Td(on): 20ms. Technologie: STripFET II POWER MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 16V. Vgs(th) max.: 1.7V. Vgs(th) min.: 1V

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, 1 kV, 3.5A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Tension drain-source Uds [V]: 1 kV. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.5A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: P5NK100Z. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 3.7 Ohms @ 1.75A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4.5V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 23 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 52 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 1154pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 125W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal N, 3.6A, 5A, 50uA, 1.2 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V. Id (T=100°C): 3.6A. Id (T=25°C): 5A. Idss (maxi): 50uA. Résistance passante Rds On: 1.2 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Tension Vds(max): 600V. C (in): 690pF. C (out): 90pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 485 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Transistor MOSFET de puissance protégé par Zener. Protection G-S: oui. Id(imp): 20A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: P5NK60ZFP. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 25W. RoHS: oui. Spec info: -55°C...+150°C. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 36ns. Td(on): 16 ns. Technologie: SuperMESH Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+ °C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V

Transistor canal N, 2.7A, 4.3A, 50uA, 1.9 Ohms, TO-220, TO-220, 800V. Id (T=100°C): 2.7A. Id (T=25°C): 4.3A. Idss (maxi): 50uA. Résistance passante Rds On: 1.9 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 800V. C (in): 910pF. C (out): 98pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 500 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Transistor MOSFET de puissance protégé par Zener. Protection G-S: oui. Id(imp): 17.2A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: P5NK80Z. Dissipation de puissance maxi: 110W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 45 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: SuperMESH Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V

Transistor canal N, 2.7A, 4.3A, 50uA, 1.9 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 800V. Id (T=100°C): 2.7A. Id (T=25°C): 4.3A. Idss (maxi): 50uA. Résistance passante Rds On: 1.9 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Tension Vds(max): 800V. Type de canal: N. Fonction: Transistor MOSFET de puissance protégé par Zener. Protection G-S: oui. Id(imp): 17.2A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: P5NK80ZFP. Dissipation de puissance maxi: 30W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 45 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: SuperMESH Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. C (in): 910pF. C (out): 98pF. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 500 ns. Type de transistor: MOSFET

Transistor canal N, 42A, 60A, 10uA, 0.014 Ohms, TO-220, TO-220AB, 60V. Id (T=100°C): 42A. Id (T=25°C): 60A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.014 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 60V. C (in): 1810pF. C (out): 360pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 73ms. Type de transistor: MOSFET. Protection G-S: non. Id(imp): 240A. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 3. Température: +175°C. Dissipation de puissance maxi: 110W. RoHS: oui. Spec info: Capacité dv/dt exceptionnelle. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 43 ns. Td(on): 16 ns. Technologie: STripFET II POWER MOSFET, Ultra Low ON-Resistance. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, 60V, 60A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Tension drain-source Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 60A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: P60NF06L. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.014 Ohms @ 60A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4.5V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 35 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 55 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 2000pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 150W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C

Transistor canal N, 37.5A, 62A, 0.01mA, 62A, 12.5m Ohms, TO-220, TO-220, 33V. Id (T=100°C): 37.5A. Id (T=25°C): 62A. Idss: 0.01mA. Idss (maxi): 62A. Résistance passante Rds On: 12.5m Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 33V. C (in): 1330pF. C (out): 420pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 45 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: entièrement protégé. Protection G-S: oui. Id(imp): 248A. Marquage sur le boîtier: P62NS04Z. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 110W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 41 ns. Td(on): 13 ns. Technologie: MESH OVERLAY™ Power MOSFET. Tension grille/source Vgs: 10V. Tension grille/source VGS (off) min.: 2V. Vgs(th) max.: 4 v

Transistor canal N, 42A, 60A, 10uA, 0.0115 Ohms, TO-220, TO-220, 60V. Id (T=100°C): 42A. Id (T=25°C): 60A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.0115 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 60V. C (in): 1700pF. C (out): 400pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 70us. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Protection G-S: non. Id(imp): 240A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: P65NF06. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 110W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 40 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: STripFET II POWER MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

Transistor canal N, TO-220, TO-220, 600V, 3.8A, 6A, 50uA, 1 Ohm. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 600V. Id (T=100°C): 3.8A. Id (T=25°C): 6A. Idss (maxi): 50uA. Résistance passante Rds On: 1 Ohm. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 47 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: SuperMESH Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. C (in): 905pF. C (out): 115pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 445 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Transistor MOSFET de puissance protégé par Zener. Protection G-S: oui. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: P6NK60Z. Dissipation de puissance maxi: 104W

Transistor canal N, 3.8A, 6A, 50uA, 1 Ohm, TO-220FP, TO-220FP, 600V. Id (T=100°C): 3.8A. Id (T=25°C): 6A. Idss (maxi): 50uA. Résistance passante Rds On: 1 Ohm. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Tension Vds(max): 600V. C (in): 905pF. C (out): 115pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 445 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Transistor MOSFET de puissance protégé par Zener. Protection G-S: oui. Id(imp): 24A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: P6NK60ZFP. Dissipation de puissance maxi: 32W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 47 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: SuperMESH Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3.5V

Transistor canal N, 3.65A, 5.8A, 50uA, 1.56 Ohms, TO-220, TO-220, 900V. Id (T=100°C): 3.65A. Id (T=25°C): 5.8A. Idss (maxi): 50uA. Résistance passante Rds On: 1.56 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 900V. C (in): 1350pF. C (out): 130pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 840 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Transistor MOSFET de puissance protégé par Zener. Protection G-S: oui. Id(imp): 23.2A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: P6NK90Z. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 140W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 45 ns. Td(on): 17 ns. Technologie: SuperMESH Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V

Transistor canal N, 3.65A, 5.8A, 50uA, 1.56 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 900V. Id (T=100°C): 3.65A. Id (T=25°C): 5.8A. Idss (maxi): 50uA. Résistance passante Rds On: 1.56 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Tension Vds(max): 900V. C (in): 1350pF. C (out): 130pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 840 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Transistor MOSFET de puissance protégé par Zener. Protection G-S: oui. Id(imp): 23.2A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: P6NK90ZFP. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 30W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 45 ns. Td(on): 17 ns. Technologie: SuperMESH Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V

Transistor canal N, 70A, 80A, 10uA, 0.0095 Ohms, TO-220, TO-220, 75V. Id (T=100°C): 70A. Id (T=25°C): 80A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.0095 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 75V. C (in): 3700pF. C (out): 730pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 132 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: DC Motor Control, DC-DC & DC-AC Converters. Protection G-S: non. Id(imp): 320A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: P75NF75. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 300W. RoHS: oui. Spec info: Drain Current (pulsed) IDM--320Ap. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 66 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: STripFET II POWER MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

Transistor canal N, 4A, 6.5A, 6.5A, 1.5 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 800V. Id (T=100°C): 4A. Id (T=25°C): 6.5A. Idss (maxi): 6.5A. Résistance passante Rds On: 1.5 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Tension Vds(max): 800V. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Zener-Protected. Dissipation de puissance maxi: 40W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: PowerMesh

Transistor canal N, 3.3A, 5.2A, 50uA, 1.5 Ohms, TO-220, TO-220, 800V. Id (T=100°C): 3.3A. Id (T=25°C): 5.2A. Idss (maxi): 50uA. Résistance passante Rds On: 1.5 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 800V. C (in): 1138pF. C (out): 122pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 530 ns. Type de transistor: MOSFET. Protection G-S: oui. Id(imp): 20.8A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: P7NK80Z. Dissipation de puissance maxi: 125W. Spec info: Zener-Protected. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 45 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: SuperMESH™ Power MOSFET. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V