Transistors FET et MOSFET canal N

Transistor canal N, SO, SO-8. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 2. Fonction: 2xN-CH 60V. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 2.5W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: STripFET™ Power MOSFET

ROHS: Oui. Boîtier: IPAK. Montage/installation: THT. Type de conditionnement: tubus. Type de transistor: N-MOSFET. Polarité: unipolaire. Tension drain - source: 600V. Courant de drain: 5A. Résistance dans l'état passant: 550m Ohms. Tension grille-source: ±25V. Puissance: 70W. Type de canal: 'enhanced'

Transistor canal N, 5.7A, 10A, 50uA, 0.65 Ohms, TO-247, TO-247, 600V. Id (T=100°C): 5.7A. Id (T=25°C): 10A. Idss (maxi): 50uA. Résistance passante Rds On: 0.65 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Tension Vds(max): 600V. C (in): 1370pF. C (out): 156pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 570 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: protégé avec diode zéner. Protection G-S: oui. Id(imp): 36A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: W10NK60Z. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 156W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 55 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: SuperMESH ™Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V

Transistor canal N, 6A, 9A, 50uA, 0.78 Ohms, TO-247, TO-247, 800V. Id (T=100°C): 6A. Id (T=25°C): 9A. Idss (maxi): 50uA. Résistance passante Rds On: 0.78 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Tension Vds(max): 800V. C (in): 2180pF. C (out): 205pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 645 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: protégé avec diode zéner. Protection G-S: oui. Id(imp): 36A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: W10NK80Z. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 160W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 65 ns. Td(on): 30 ns. Technologie: SuperMESH ™Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V

Transistor canal N, 5.2A, 8.3A, 50uA, 1.1 Ohms, TO-247, TO-247, 1000V. Id (T=100°C): 5.2A. Id (T=25°C): 8.3A. Idss (maxi): 50uA. Résistance passante Rds On: 1.1 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Tension Vds(max): 1000V. C (in): 3500pF. C (out): 270pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 30. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 560 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: capacité dv/dt extrêmement élevée, applications de commutation. Protection G-S: oui. Id(imp): 33.2A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: W11NK100Z. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 230W. RoHS: oui. Spec info: Gate source ESD (HBM-C=100pF, R=1.5KW) 6000V. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 98 ns. Td(on): 27 ns. Technologie: Zener - Protected SuperMESH™ PowerMOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V

Transistor canal N, 5.8A, 9.2A, 50uA, 0.82 Ohms, TO-247, TO-247, 900V. Id (T=100°C): 5.8A. Id (T=25°C): 9.2A. Idss (maxi): 50uA. Résistance passante Rds On: 0.82 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Tension Vds(max): 900V. C (in): 3000pF. C (out): 240pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 30. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 584 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: ZenerProtect. Protection G-S: oui. Id(imp): 36.8A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: W11NK90Z. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 200W. RoHS: oui. Spec info: Gate source ESD (HBM-C=100pF, R=1.5KW) 6000V. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 76 ns. Td(on): 30 ns. Technologie: SuperMesh PpwerMOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V

Transistor canal N, 7A, 11A, 50uA, 0.72 Ohms, TO-247, TO-247, 900V. Id (T=100°C): 7A. Id (T=25°C): 11A. Idss (maxi): 50uA. Résistance passante Rds On: 0.72 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Tension Vds(max): 900V. C (in): 3500pF. C (out): 280pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 964ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Capacité ESD améliorée. Id(imp): 44A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: W12NK90Z. Dissipation de puissance maxi: 230W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 88 ns. Td(on): 31 ns. Technologie: transistor MOSFET de puissance SuperMESH™ protégé par diode zéner. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Spec info: 'EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY'. Protection drain-source: oui. Protection G-S: oui

Transistor canal N, 8A, 13A, 50mA, 0.48 Ohms, TO-247, TO-247, 600V. Id (T=100°C): 8A. Id (T=25°C): 13A. Idss (maxi): 50mA. Résistance passante Rds On: 0.48 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Tension Vds(max): 600V. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 570 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Protection G-S: oui. Id(imp): 40A. Idss (min): 1mA. Marquage sur le boîtier: W13NK60Z. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 160W. RoHS: oui. Spec info: 'EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY'. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 61 ns. Td(on): 22 ns. Technologie: Zener-Protected SuperMESH]Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. C (in): 2030pF. C (out): 210pF. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 30. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1

Transistor canal N, 7.6A, 14A, 50mA, 0.34 Ohms, TO-247, TO-247, 500V. Id (T=100°C): 7.6A. Id (T=25°C): 14A. Idss (maxi): 50mA. Résistance passante Rds On: 0.34 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Tension Vds(max): 500V. C (in): 2000pF. C (out): 238pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 30. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 470 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Protection G-S: oui. Id(imp): 48A. Idss (min): 1mA. Marquage sur le boîtier: W14NK50Z. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 150W. RoHS: oui. Spec info: 'EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY'. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 54 ns. Td(on): 24 ns. Technologie: Zener-Protected SuperMESH Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V

Transistor canal N, 10.71A, 17A, 100nA, 0.25 Ohms, TO-247, TO-247, 800V. Id (T=100°C): 10.71A. Id (T=25°C): 17A. Idss (maxi): 100nA. Résistance passante Rds On: 0.25 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Tension Vds(max): 800V. C (in): 1630pF. C (out): 750pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 30. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: circuits de commutation. Protection G-S: non. Id(imp): 68A. Idss (min): 10nA. Marquage sur le boîtier: 18NM80. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 190W. RoHS: oui. Spec info: HIGH dv/dt AND AVALANCHE CAPABILITIES. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: MDmesh PpwerMOSFET. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-247, 500V, 17A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-247. Tension drain-source Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 17A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: W20NK50Z. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.27 Ohms @ 8.5A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4.5V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 28 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 70 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 2600pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 190W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-247, 500V, 20A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-247. Tension drain-source Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 20A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: W20NM50FD. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.25 Ohms @ 10A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 5V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 22 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 30 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 1380pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 214W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal N, 12.6A, 20A, 100uA, 0.26 Ohms, TO-247, TO-247, 600V. Id (T=100°C): 12.6A. Id (T=25°C): 20A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.26 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Tension Vds(max): 600V. C (in): 1450pF. C (out): 350pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 510 ns. Type de transistor: MOSFET. Protection G-S: non. Id(imp): 80A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: W20NM60. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 214W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 6 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: MDmesh PpwerMOSFET. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V

Transistor canal N, 13A, 20A, 100uA, 0.15 Ohms, TO-247, TO-247, 650V. Id (T=100°C): 13A. Id (T=25°C): 20A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.15 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Tension Vds(max): 650V. C (in): 1440pF. C (out): 60pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 384 ns. Fonction: circuits de commutation. Protection G-S: oui. Id(imp): 80A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 28N65M2. Dissipation de puissance maxi: 170W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 59 ns. Td(on): 13.4 ns. Technologie: MDmesh™ M2 Power MOSFETs. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

Transistor canal N, 22A, 35A, 35A, 0.075 Ohms, TO-247, TO-247, 600V. Id (T=100°C): 22A. Id (T=25°C): 35A. Idss (maxi): 35A. Résistance passante Rds On: 0.075 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Tension Vds(max): 600V. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Idm--140Ap(pulsed). Dissipation de puissance maxi: 255W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: MDmesh II

Transistor canal N, 22A, 35A, 100uA, 0.075 Ohms, TO-247, TO-247, 600V. Id (T=100°C): 22A. Id (T=25°C): 35A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.075 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Tension Vds(max): 600V. C (in): 4300pF. C (out): 250pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 190 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Faible capacité d'entrée et charge de grille. Protection G-S: non. Id(imp): 140A. Idss (min): 10uA. Marquage sur le boîtier: 43NM60ND. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 255W. RoHS: oui. Spec info: Faible résistance d'entrée de grille. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 120ns. Td(on): 30 ns. Technologie: MDmesh II. Tension grille/source Vgs: 25V. Vgs(th) min.: 3V

Transistor canal N, 28A, 45A, 100uA, 0.09 Ohms, TO-247, TO-247, 650V. Id (T=100°C): 28A. Id (T=25°C): 45A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.09 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Tension Vds(max): 650V. C (in): 3800pF. C (out): 1250pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 508 ns. Type de transistor: MOSFET. Protection G-S: non. Id(imp): 180A. Idss (min): 10uA. Marquage sur le boîtier: W45NM60. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 417W. RoHS: oui. Spec info: Idm--180Ap (pulsed). Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 16 ns. Td(on): 30 ns. Technologie: MDmesh PpwerMOSFET. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, 30 v, 75A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Tension drain-source Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 75A. RoHS: non. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: SUP75N03-04. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.004 Ohms @ 75A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 20 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 190 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 10742pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 187W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C

Transistor canal N, 85A, 85A, 250uA, 0.003 Ohms, TO-220, TO-220AB, 30 v. Id (T=100°C): 85A. Id (T=25°C): 85A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.003 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 30 v. C (in): 3535pF. C (out): 680pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 41 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: alimentation, convertisseur DC/DC. Protection G-S: non. Id(imp): 60.4k Ohms. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 78W. RoHS: oui. Spec info: (D-S) 150°C MOSFET. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 35 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: TrenchFET® Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V

Transistor canal N, TO-220FP, TO-220F-3FS, 430V. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F-3FS. Tension collecteur/émetteur Vceo: 430V. C (in): 5500pF. C (out): 100pF. Diode CE: non. Type de canal: N. Divers: flash, contrôle de stroboscope. Fonction: Low-saturation voltage, Ultra high speed switching. Diode au Germanium: Suppresseur. Courant de collecteur: 240A. Ic(puls): 240A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 30W. RoHS: oui. Spec info: High speed hall time--tf=270nS(typ). Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 140 ns. Td(on): 46 ns. Technologie: Enhancement type. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 3.6V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 5V. Tension grille - émetteur VGE: 33V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 2.5V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 5V

Transistor canal N, 20A, 10uA, 0.22 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3P, 500V. Id (T=25°C): 20A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.22 Ohms. Boîtier: TO-3PN ( 2-16C1B ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Tension Vds(max): 500V. C (in): 2600pF. C (out): 280pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 1700 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Applications de régulateur à découpage. Protection G-S: non. Id(imp): 80A. Marquage sur le boîtier: K20J50D. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 280W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 150 ns. Td(on): 100 ns. Technologie: Type POWER MOS à effet de champ (MOSVII). Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

Transistor canal N, 7A, 10uA, 0.50 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 600V. Id (T=25°C): 7A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.50 Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tension Vds(max): 600V. C (in): 470pF. C (out): 13pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 230 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: pour régulateurs à découpage. Protection G-S: non. Id(imp): 28A. Marquage sur le boîtier: TK7P60W. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 70W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 55 ns. Td(on): 40 ns. Technologie: MOSFET (DTMOSIV). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 3.7V. Vgs(th) min.: 2.7V

Transistor canal N, 0.3A, 0.3A, 2.3 Ohms, TO-92, TO-92, 240V. Id (T=25°C): 0.3A. Idss (maxi): 0.3A. Résistance passante Rds On: 2.3 Ohms. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension Vds(max): 240V. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: niveau logique. Dissipation de puissance maxi: 0.8W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 9.31k Ohms

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), PDFN56, 40V, 161A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: PDFN56. Tension drain-source Uds [V]: 40V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 161A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 8. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0025 Ohm @ 24A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 8.4 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 58 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 7150pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 136W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), PDFN56, 40V, 161A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: PDFN56. Tension drain-source Uds [V]: 40V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 161A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 8. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0025 Ohm @ 24A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2.5V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 4 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 75 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 6435pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 136W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C