Transistors FET et MOSFET canal N

Transistor canal N, 61A, 86A, 150uA, 4m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 30 v. Id (T=100°C): 61A. Id (T=25°C): 86A. Idss (maxi): 150uA. Résistance passante Rds On: 4m Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Tension Vds(max): 30 v. C (in): 2150pF. C (out): 480pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 24 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: résistance passante RDS très faible à 4.5 V VGS. Protection G-S: non. Id(imp): 340A. Idss (min): 1uA. Equivalences: IRLR8726PBF, IRLR8726TRLPBF. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 75W. RoHS: oui. Spec info: Impédance de grille ultra-basse. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 15 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.35V. Vgs(th) min.: 1.35V

Transistor canal N, 113A, 160A, 150uA, 2.4M Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 30 v. Id (T=100°C): 113A. Id (T=25°C): 160A. Idss (maxi): 150uA. Résistance passante Rds On: 2.4M Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Tension Vds(max): 30 v. C (in): 4880pF. C (out): 950pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 18 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Commande de porte par niveau logique. Protection G-S: non. Id(imp): 640A. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 135W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 21 ns. Td(on): 19 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.35V. Vgs(th) min.: 1.35V

Transistor canal N, 8.5A, 17A, 250uA, 0.075 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. Id (T=100°C): 8.5A. Id (T=25°C): 17A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.075 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 55V. C (in): 480pF. C (out): 130pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 60 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Commande de porte par niveau logique. Protection G-S: non. Idss (min): 25uA. Dissipation de puissance maxi: 47W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 20 ns. Td(on): 7.1 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Tension grille/source Vgs: 16V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, 55V, 18A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Tension drain-source Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 18A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRLZ24NPBF. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.06 Ohms @ 11A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 7.1 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 20 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 480pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 45W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C

Transistor canal N, 21A, 30A, 250uA, 0.035 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. Id (T=100°C): 21A. Id (T=25°C): 30A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.035 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 55V. C (in): 880pF. C (out): 220pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 76 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Commande de porte par niveau logique. Protection G-S: non. Id(imp): 110A. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 68W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 21 ns. Td(on): 8.9 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 16V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, 55V, 30A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Tension drain-source Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 30A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRLZ34NPBF. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.035 Ohms @ 16A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 8.9 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 21 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 880pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 68W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C

Transistor canal N, 33A, 47A, 250uA, 0.022 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. Id (T=100°C): 33A. Id (T=25°C): 47A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.022 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 55V. C (in): 1700pF. C (out): 400pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 80 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Commande de porte par niveau logique. Protection G-S: non. Id(imp): 160A. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 110W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 26 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 16V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V

Transistor canal N, 55V, 0.022 Ohms, TO-220AB. Tension drain - source (Vds): 55V. Résistance passante Rds On: 0.022 Ohms. Boîtier: TO-220AB. Type de transistor: transistor de puissance MOSFET. Type de canal: N. Commande: niveau logique. Courant de drain maxi: 41A. Puissance: 83W

Transistor canal N, 31A, TO-220, TO-220AA, 390V. Ic(T=100°C): 31A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AA. Tension collecteur/émetteur Vceo: 390V. Diode CE: non. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Fonction: Ic 46A @ 25°C, 31A @ 110°C. Diode au Germanium: Suppresseur. Courant de collecteur: 46A. Marquage sur le boîtier: V5036P. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 250W. RoHS: oui. Spec info: td(On) 0.7us, td(Off) 10.8us. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 10.8 ns. Td(on): 7 ns. Température de fonctionnement: -40...+175°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.5V. Tension grille - émetteur VGE: 10V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 1.3V

Transistor canal N, 130A, 500uA, 0.01 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), TO-263, 100V. Id (T=25°C): 130A. Idss (maxi): 500uA. Résistance passante Rds On: 0.01 Ohms. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-263. Tension Vds(max): 100V. C (in): 6600pF. C (out): 640pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 100 ns. Type de transistor: MOSFET. Protection G-S: non. Id(imp): 300A. Idss (min): 10uA. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 360W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 24 ns. Td(on): 16 ns. Technologie: TrenchT2 HiPerFet Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 2V

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-247AD, 500V, 26A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-247AD. Tension drain-source Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 26A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IXFH26N50. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.2 Ohms @ 13A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4.5V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 16 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 65 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 4200pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 300W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal N, 26A, 1mA, 0.25 Ohms, TO-247, TO-247AD, 600V. Id (T=25°C): 26A. Idss (maxi): 1mA. Résistance passante Rds On: 0.25 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AD. Tension Vds(max): 600V. C (in): 4700pF. C (out): 580pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 30. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 250 ns. Type de transistor: MOSFET. Protection G-S: non. Id(imp): 104A. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 360W. RoHS: oui. Spec info: dv/dt 10V/ns. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 80 ns. Td(on): 30 ns. Technologie: HiPerFet Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2.5V

Transistor canal N, 32A, 1mA, 0.15 Ohms, TO-247, TO-247AD, 500V. Id (T=25°C): 32A. Idss (maxi): 1mA. Résistance passante Rds On: 0.15 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AD. Tension Vds(max): 500V. C (in): 5700pF. C (out): 750pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 30. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 250 ns. Type de transistor: MOSFET. Protection G-S: non. Id(imp): 128A. Idss (min): 200uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 360W. RoHS: oui. Spec info: dv/dt 5V/ns. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 110 ns. Td(on): 35 ns. Technologie: HiPerFet Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-247AD, 200V, 58A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-247AD. Tension drain-source Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 58A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IXFH58N20. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.04 Ohms @ 29A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 25 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 90 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 4400pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 300W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-264AA, 300V, 140A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-264AA. Tension drain-source Uds [V]: 300V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 140A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IXFK140N30P. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.024 Ohms @ 70A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 5V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 30 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 100 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 14000pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 1040W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-264AA, 800V, 44A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-264AA. Tension drain-source Uds [V]: 800V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 44A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IXFK44N80P. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.19 Ohms @ 22A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 5V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 28 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 75 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 12000pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 1200W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal N, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264AA, 500V, 48A, 2mA, 0.10 Ohms. Boîtier: TO-264 ( TOP-3L ). Boîtier (selon fiche technique): TO-264AA. Tension Vds(max): 500V. Id (T=25°C): 48A. Idss (maxi): 2mA. Résistance passante Rds On: 0.10 Ohms. RoHS: oui. Spec info: dv/dt 5V/ns. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 100 ns. Td(on): 30 ns. Technologie: HiPerFet Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. C (in): 8400pF. C (out): 900pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 25. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 250 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: F-Class--MHz Switching. Protection G-S: non. Id(imp): 192A. Idss (min): 400uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 500W

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-264AA, 600V, 48A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-264AA. Tension drain-source Uds [V]: 600V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 48A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IXFK48N60P. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.135 Ohms @ 24A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 5V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 30 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 85 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 8860pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 830W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-264AA, 500V, 64A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-264AA. Tension drain-source Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 64A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IXFK64N50P. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.085 Ohms @ 32A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 5.5V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 30 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 85 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 9700pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 830W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-264AA, 600V, 64A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-264AA. Tension drain-source Uds [V]: 600V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 64A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IXFK64N60P. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.096 Ohms @ 32A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 5V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 28 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 79 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 12000pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 1040W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal N, SOT-227B (ISOTOP), 75V, 480A. Boîtier: SOT-227B (ISOTOP). Tension drain-source Uds [V]: 75V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 480A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: GigaMOS. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0019 Ohms @ 480A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 5V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 48 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 80 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 41000pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 940W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C

Transistor canal N, 105A, 2uA, 17m Ohms, ISOPLUS247 ( TO-247 ), ISOPLUS247 ( TO-247 ), 200V. Id (T=25°C): 105A. Idss (maxi): 2uA. Résistance passante Rds On: 17m Ohms. Boîtier: ISOPLUS247 ( TO-247 ). Boîtier (selon fiche technique): ISOPLUS247 ( TO-247 ). Tension Vds(max): 200V. C (in): 9100pF. C (out): 2200pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 30. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 250 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Surface arrière isolée électriquement. Protection G-S: non. Id(imp): 480A. Idss (min): 100uA. Remarque: tension d'isolation 2500V 50/60Hz, RMS, 1minute. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 400W. RoHS: oui. Spec info: dv/dt 5V/ns. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 110 ns. Td(on): 40 ns. Technologie: Polar HiPerFet Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

Transistor canal N, 75A, 100A, 1.5mA, 13m Ohms, ISOPLUS247 ( TO-247 ), ISOPLUS247, 150V. Id (T=100°C): 75A. Id (T=25°C): 100A. Idss (maxi): 1.5mA. Résistance passante Rds On: 13m Ohms. Boîtier: ISOPLUS247 ( TO-247 ). Boîtier (selon fiche technique): ISOPLUS247. Tension Vds(max): 150V. C (in): 7000pF. C (out): 2250pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 30. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 200 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Surface arrière isolée électriquement. Protection G-S: non. Id(imp): 380A. Idss (min): 25uA. Remarque: tension d'isolation 2500V 50/60Hz, RMS, 1minute. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 300W. RoHS: oui. Spec info: dv/dt 10V/ns. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 150 ns. Td(on): 30 ns. Technologie: Polar HiPerFet Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 2.5V

Transistor canal N, 75A, 133A, 1mA, 0.009 Ohms, ISOPLUS247 ( TO-247 ), ISOPLUS247 ( TO-247 ), 100V. Id (T=100°C): 75A. Id (T=25°C): 133A. Idss (maxi): 1mA. Résistance passante Rds On: 0.009 Ohms. Boîtier: ISOPLUS247 ( TO-247 ). Boîtier (selon fiche technique): ISOPLUS247 ( TO-247 ). Tension Vds(max): 100V. C (in): 7600pF. C (out): 2900pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 150 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Surface arrière isolée électriquement. Protection G-S: non. Id(imp): 400A. Idss (min): 25uA. Remarque: tension d'isolation 2500V 50/60Hz, RMS, 1minute. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 300W. RoHS: oui. Spec info: dv/dt 10V/ns. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 150 ns. Td(on): 30 ns. Technologie: Polar HiPerFet Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V

Transistor canal N, 24A, TO-247, TO-247 ( AD ), 600V. Ic(T=100°C): 24A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247 ( AD ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. C (in): 1500pF. C (out): 170pF. Diode CE: oui. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 130 ns. Fonction: HiPerFAST IGBT with Diode. Diode au Germanium: non. Courant de collecteur: 48A. Ic(puls): 80A. Remarque: transistor IGBT HiPerFAST. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 150W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 75 ns. Td(on): 15 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 2.1V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.5V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 2.5V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 5.5V