Transistors FET et MOSFET canal N

Transistor canal N, 200V, TO220. Vdss (tension drain à source): 200V. Boîtier: TO220. Polarité: MOSFET N. Id @ Tc=25°C (courant de drain continu): 18A. Tension d'entraînement: 10V. Tension grille/source Vgs (Max): -20V. Dissipation de puissance maxi: 150W. Type de montage: THT

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), D²-PAK, TO-263, 200V, 18A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: D²-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-263. Tension drain-source Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 18A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: F640NS. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.15 Ohms @ 11A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 10 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 23 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 1160pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 150W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C

Transistor canal N, 200V, TO220. Vdss (tension drain à source): 200V. Boîtier: TO220. Polarité: MOSFET N. Id @ Tc=25°C (courant de drain continu): 18A. Tension d'entraînement: 10V. Tension grille/source Vgs (Max): -20V. Dissipation de puissance maxi: 40W. Type de montage: THT

Transistor canal N, 8.5A, 14A, 250uA, 0.28 Ohms, TO-220, TO-220AB, 250V. Id (T=100°C): 8.5A. Id (T=25°C): 14A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.28 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 250V. C (in): 1300pF. C (out): 330pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 250 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Protection G-S: non. Id(imp): 56A. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 125W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 53 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

Transistor canal N, 4.5A, 5.7A, 5.7A, 0.028 Ohms, 100V. Id (T=100°C): 4.5A. Id (T=25°C): 5.7A. Idss (maxi): 5.7A. Résistance passante Rds On: 0.028 Ohms. Tension Vds(max): 100V. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: td(on) 9.2ns, td(off) 18ns. Id(imp): 45A. Remarque: isométrique. Dissipation de puissance maxi: 42W. Technologie: DirectFET POWER MOSFET

Transistor canal N, 1.2A, 2A, 250uA, 3.6 Ohms, TO-220, TO-220AB, 400V. Id (T=100°C): 1.2A. Id (T=25°C): 2A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 3.6 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 400V. C (in): 170pF. C (out): 34pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 240 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Protection G-S: non. Id(imp): 6A. Idss (min): 25uA. Dissipation de puissance maxi: 36W. RoHS: oui. Td(off): 12 ns. Td(on): 8 ns. Technologie: Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), SO8, 20V, 3.5A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SO8. Tension drain-source Uds [V]: 20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.5A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 8. Marquage du fabricant: F7101. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ 1.8A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 7 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 24 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 320pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 2W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal N, 3A, SO, SO-8, 50V. Id (T=25°C): 3A. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 50V. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 2. Fonction: 2xN-CH 50V. Protection G-S: non. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 2W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: HEXFET Power MOSFET

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), SO8, 50V, 3A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SO8. Tension drain-source Uds [V]: 50V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 8. Marquage du fabricant: F7103. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.13 Ohms @ 3A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 20 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 70 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 290pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 2W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal N, TO-220AB, 400V, 2A, soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Tension drain-source Uds [V]: 400V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 2A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRF710PBF. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 3.6 Ohms @ 1.2A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 8 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 21 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 170pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 36W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), SO8, 30 v, 7.3A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SO8. Tension drain-source Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 7.3A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 8. Marquage du fabricant: F7201. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.03 Ohms @ 7.3A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 7 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 21 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 550pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 2.5W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, 400V, 3.3A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Tension drain-source Uds [V]: 400V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.3A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRF720PBF. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.8 Ohms @ 2A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 10 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 30 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 410pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 50W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal N, 3.3A, 5.5A, 250uA, 1 Ohm, TO-220, TO-220AB, 400V. Id (T=100°C): 3.3A. Id (T=25°C): 5.5A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 1 Ohm. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 400V. RoHS: oui. C (in): 700pF. C (out): 170pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 270 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Protection G-S: non. Id(imp): 22A. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 75W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 38 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), SO8, 20V, 4.1A/4.1A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SO8. Tension drain-source Uds [V]: 20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 4.1A/4.1A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 8. Marquage du fabricant: F7301. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.05 Ohms/0.05 Ohms @ 2.6A/2.6A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 9 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 32 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 660pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 2W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal N, 3.9A, 4.9A, 25uA, SO, SO-8, 30 v. Id (T=100°C): 3.9A. Id (T=25°C): 4.9A. Idss (maxi): 25uA. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 30 v. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 2. Type de transistor: MOSFET. Fonction: 0.05R. Id(imp): 20A. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 2W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: N&N-HEXFET Power MOSFETFET

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), SO8, 30V/-30V, 4A/-3A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SO8. Tension drain-source Uds [V]: 30V/-30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 4A/-3A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS, P-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 8. Marquage du fabricant: F7309. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.05 Ohms/0.1 Ohms @ 2.4/-1.8A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 6.8/11 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 22/25 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 520/440pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.4W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal N, 400V, TO220AB. Vdss (tension drain à source): 400V. Boîtier: TO220AB. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Série: oui. Polarité: MOSFET N. Id @ Tc=25°C (courant de drain continu): 5.5A. Tension d'entraînement: 10V. Résistance passante Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1 Ohms / 3A / 10V. Vgs(th) (Max) @ Id: 3. Qg (charge totale de la porte, Max @ Vgs): IRF730PBF. Tension grille/source Vgs (Max): -20V. Dissipation de puissance maxi: 75W. Température de fonctionnement: 1 Ohms @ 3.3A. Type de montage: THT. Particularités: 38 ns. Information: 700pF. MSL: 74W

Transistor canal N, SO, SO-8. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Quantité par boîtier: 2. Fonction: transistor MOSFET N. Nombre de connexions: 8. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: HEXFET Power MOSFET

Transistor canal N, SO, SO-8. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Quantité par boîtier: 2. Fonction: transistor MOSFET N. Equivalences: IRF7313PBF. Nombre de connexions: 8. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: HEXFET Power MOSFET

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), SO8, 30 v, 6.5A/6.5A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SO8. Tension drain-source Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 6.5A/6.5A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 8. Marquage du fabricant: F7313. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.029 Ohms/0.029 Ohms @ 5.8A/5.8A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 12 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 39 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 650pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 2W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), SO8, 30V/-30V, 6.6A / -5.3A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SO8. Tension drain-source Uds [V]: 30V/-30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 6.6A / -5.3A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS, P-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 8. Marquage du fabricant: F7317. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.029 Ohms/0.058 Ohms @ 6/-2.9A. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 12/22 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 57/63 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 900/780pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.3W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal N, SO, SO-8. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Dissipation de puissance maxi: 2W. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 95. Quantité par boîtier: 2. Fonction: tf 13ns, td(on) 8.3ns, td(off) 32ns. Nombre de connexions: 8. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: HEXFET Power MOSFET

ROHS: Oui. Boîtier: SO8. Montage/installation: SMD. Type de conditionnement: Tekercs. Type de transistor: N-MOSFET x2. Polarité: unipolaire. Technologie: HEXFET®. Tension drain - source: 55V. Courant de drain: 4.7A. Résistance dans l'état passant: 50m Ohms. Tension grille-source: ±20V. Puissance: 2W

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), SO8, 55V/-55V, 4.7A/-3.4A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SO8. Tension drain-source Uds [V]: 55V/-55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 4.7A/-3.4A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS, P-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 8. Marquage du fabricant: F7343. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.05 Ohms/0.105 Ohms @ 4.7/-3.4A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 12/22 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 48/64 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 740/690pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 2W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal N, SO8, -55V. Boîtier: SO8. Vdss (tension drain à source): -55V. Série: HEXFET. Polarité: MOSFET N+P. Id @ Tc=25°C (courant de drain continu): 3.4A. Tension grille/source Vgs (Max): -20V. Dissipation de puissance maxi: 2W. Type de montage: SMD