Transistors bipolaires PNP
MJ15016G
Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé, TO-3, TO-204AA, 120V, 15A. Boîtier: soudure sur circu...
Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé, TO-3, TO-204AA, 120V, 15A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-3. Boîtier (norme JEDEC): TO-204AA. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 120V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 15A. RoHS: oui. Famille de composants: transistor PNP haute tension. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: MJ15016G. Fréquence de coupure ft [MHz]: 18 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 180W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +200°C
Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé, TO-3, TO-204AA, 120V, 15A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-3. Boîtier (norme JEDEC): TO-204AA. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 120V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 15A. RoHS: oui. Famille de composants: transistor PNP haute tension. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: MJ15016G. Fréquence de coupure ft [MHz]: 18 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 180W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +200°C
MJ15023
Transistor PNP, 16A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 200V. Courant de collecteur: 16A. Boîtier: TO-3 ( TO-20...
Transistor PNP, 16A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 200V. Courant de collecteur: 16A. Boîtier: TO-3 ( TO-204 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3. Tension collecteur/émetteur Vceo: 200V. Diode BE: non. C (out): 3pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 4 MHz. Dissipation de puissance maxi: 250W. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJ15022. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Vcbo: 350V
Transistor PNP, 16A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 200V. Courant de collecteur: 16A. Boîtier: TO-3 ( TO-204 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3. Tension collecteur/émetteur Vceo: 200V. Diode BE: non. C (out): 3pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 4 MHz. Dissipation de puissance maxi: 250W. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJ15022. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Vcbo: 350V
MJ15023-ONS
Transistor PNP, 16A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 200V. Courant de collecteur: 16A. Boîtier: TO-3 ( TO-20...
Transistor PNP, 16A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 200V. Courant de collecteur: 16A. Boîtier: TO-3 ( TO-204 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3. Tension collecteur/émetteur Vceo: 200V. Diode BE: non. C (out): 1.6pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 4 MHz. Fonction: Audio haute puissance. Gain hFE maxi: 60. Gain hFE mini: 15. Ic(puls): 30A. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 250W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJ15022. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -65...+200°C. Vcbo: 350V. Tension de saturation VCE(sat): 1.4V. Vebo: 5V
Transistor PNP, 16A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 200V. Courant de collecteur: 16A. Boîtier: TO-3 ( TO-204 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3. Tension collecteur/émetteur Vceo: 200V. Diode BE: non. C (out): 1.6pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 4 MHz. Fonction: Audio haute puissance. Gain hFE maxi: 60. Gain hFE mini: 15. Ic(puls): 30A. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 250W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJ15022. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -65...+200°C. Vcbo: 350V. Tension de saturation VCE(sat): 1.4V. Vebo: 5V
MJ15025-ONS
Transistor PNP, 16A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 250V. Courant de collecteur: 16A. Boîtier: TO-3 ( TO-20...
Transistor PNP, 16A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 250V. Courant de collecteur: 16A. Boîtier: TO-3 ( TO-204 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3. Tension collecteur/émetteur Vceo: 250V. Diode BE: non. C (out): 280pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 4 MHz. Fonction: Audio haute puissance. Gain hFE maxi: 60. Gain hFE mini: 15. Ic(puls): 30A. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 250W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJ15024. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -65...+200°C. Vcbo: 400V. Tension de saturation VCE(sat): 1.4V. Vebo: 5V
Transistor PNP, 16A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 250V. Courant de collecteur: 16A. Boîtier: TO-3 ( TO-204 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3. Tension collecteur/émetteur Vceo: 250V. Diode BE: non. C (out): 280pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 4 MHz. Fonction: Audio haute puissance. Gain hFE maxi: 60. Gain hFE mini: 15. Ic(puls): 30A. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 250W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJ15024. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -65...+200°C. Vcbo: 400V. Tension de saturation VCE(sat): 1.4V. Vebo: 5V
MJ15025G
Transistor PNP, 250V, 16A, -250V, -16A. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 250V. Courant de coll...
Transistor PNP, 250V, 16A, -250V, -16A. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 250V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 16A. Tension collecteur-émetteur VCEO: -250V. Courant de collecteur: -16A. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: MJ15025G. Fréquence de coupure ft [MHz]: 4 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 250W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +200°C. Type de transistor: Transistor de puissance. Polarité: PNP. Puissance: 250W. Fréquence maxi: 4 MHz
Transistor PNP, 250V, 16A, -250V, -16A. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 250V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 16A. Tension collecteur-émetteur VCEO: -250V. Courant de collecteur: -16A. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: MJ15025G. Fréquence de coupure ft [MHz]: 4 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 250W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +200°C. Type de transistor: Transistor de puissance. Polarité: PNP. Puissance: 250W. Fréquence maxi: 4 MHz
MJ21193G
Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé, TO-3, TO-204AA, 250V, 16A. Boîtier: soudure sur circu...
Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé, TO-3, TO-204AA, 250V, 16A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-3. Boîtier (norme JEDEC): TO-204AA. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 250V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 16A. RoHS: oui. Famille de composants: transistor PNP haute tension. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: MJ21193G. Fréquence de coupure ft [MHz]: 4 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 250W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +200°C
Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé, TO-3, TO-204AA, 250V, 16A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-3. Boîtier (norme JEDEC): TO-204AA. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 250V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 16A. RoHS: oui. Famille de composants: transistor PNP haute tension. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: MJ21193G. Fréquence de coupure ft [MHz]: 4 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 250W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +200°C
MJ21195
Transistor PNP, 16A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3 ( TO-204AA ), 250V. Courant de collecteur: 16A. Boîtier:...
Transistor PNP, 16A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3 ( TO-204AA ), 250V. Courant de collecteur: 16A. Boîtier: TO-3 ( TO-204 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3 ( TO-204AA ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 250V. Diode BE: non. C (out): 4pF. Diode CE: non. Transistor Darlington?: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 4 MHz. Gain hFE maxi: 75. Gain hFE mini: 25. Ic(puls): 30A. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 250W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJ21196. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Vcbo: 400V. Tension de saturation VCE(sat): 1.4V
Transistor PNP, 16A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3 ( TO-204AA ), 250V. Courant de collecteur: 16A. Boîtier: TO-3 ( TO-204 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3 ( TO-204AA ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 250V. Diode BE: non. C (out): 4pF. Diode CE: non. Transistor Darlington?: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 4 MHz. Gain hFE maxi: 75. Gain hFE mini: 25. Ic(puls): 30A. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 250W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJ21196. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Vcbo: 400V. Tension de saturation VCE(sat): 1.4V
MJ2955
Transistor PNP, 15A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 70V. Courant de collecteur: 15A. Boîtier: TO-3 ( TO-204...
Transistor PNP, 15A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 70V. Courant de collecteur: 15A. Boîtier: TO-3 ( TO-204 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3. Tension collecteur/émetteur Vceo: 70V. Diode BE: non. C (out): 4pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 2.5 MHz. Fonction: Applications de commutation et d'amplification. Gain hFE maxi: 70. Gain hFE mini: 20. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 115W. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2N3055. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -65...+200°C. Vcbo: 100V. Tension de saturation VCE(sat): 1.1V. Vebo: 7V
Transistor PNP, 15A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 70V. Courant de collecteur: 15A. Boîtier: TO-3 ( TO-204 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3. Tension collecteur/émetteur Vceo: 70V. Diode BE: non. C (out): 4pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 2.5 MHz. Fonction: Applications de commutation et d'amplification. Gain hFE maxi: 70. Gain hFE mini: 20. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 115W. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2N3055. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -65...+200°C. Vcbo: 100V. Tension de saturation VCE(sat): 1.1V. Vebo: 7V
MJ2955G
Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé, TO-3, TO-204AA, 60V, 15A. Boîtier: soudure sur circui...
Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé, TO-3, TO-204AA, 60V, 15A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-3. Boîtier (norme JEDEC): TO-204AA. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 60V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 15A. RoHS: oui. Famille de composants: transistor de puissance PNP. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: MJ2955G. Fréquence de coupure ft [MHz]: 2.5 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 115W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +200°C
Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé, TO-3, TO-204AA, 60V, 15A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-3. Boîtier (norme JEDEC): TO-204AA. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 60V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 15A. RoHS: oui. Famille de composants: transistor de puissance PNP. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: MJ2955G. Fréquence de coupure ft [MHz]: 2.5 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 115W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +200°C
MJD42C1G
Transistor PNP, -100V, -6A, I-PAK. Tension collecteur-émetteur VCEO: -100V. Courant de collecteur: ...
Transistor PNP, -100V, -6A, I-PAK. Tension collecteur-émetteur VCEO: -100V. Courant de collecteur: -6A. Boîtier: I-PAK. Type de transistor: Transistor de puissance. Polarité: PNP. Puissance: 20W. Fréquence maxi: 3MHz
Transistor PNP, -100V, -6A, I-PAK. Tension collecteur-émetteur VCEO: -100V. Courant de collecteur: -6A. Boîtier: I-PAK. Type de transistor: Transistor de puissance. Polarité: PNP. Puissance: 20W. Fréquence maxi: 3MHz
MJD45H11G
Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé (CMS), D-PAK, TO-252, 80V, 8A. Boîtier: soudure sur ci...
Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé (CMS), D-PAK, TO-252, 80V, 8A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: D-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-252. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 8A. RoHS: oui. Famille de composants: transistor de puissance PNP. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: J45H11. Fréquence de coupure ft [MHz]: 90 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 20W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C
Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé (CMS), D-PAK, TO-252, 80V, 8A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: D-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-252. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 8A. RoHS: oui. Famille de composants: transistor de puissance PNP. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: J45H11. Fréquence de coupure ft [MHz]: 90 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 20W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C
MJE15031
Transistor PNP, 8A, TO-220, TO-220, 150V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: TO-220. Boîtier (sel...
Transistor PNP, 8A, TO-220, TO-220, 150V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 150V. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 30 MHz. Fonction: pour amplificateur audio. Gain hFE maxi: 40. Gain hFE mini: 20. Ic(puls): 16A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 50W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJE15031. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 150V. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V
Transistor PNP, 8A, TO-220, TO-220, 150V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 150V. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 30 MHz. Fonction: pour amplificateur audio. Gain hFE maxi: 40. Gain hFE mini: 20. Ic(puls): 16A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 50W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJE15031. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 150V. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V
MJE15031G
Transistor PNP, 8A, TO-220, TO-220AB, 150V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: TO-220. Boîtier (s...
Transistor PNP, 8A, TO-220, TO-220AB, 150V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension collecteur/émetteur Vceo: 150V. Diode BE: non. Diode CE: non. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 30 MHz. Fonction: pour amplificateur audio. Gain hFE maxi: 40. Gain hFE mini: 20. Ic(puls): 16A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 50W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJE15030G. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 150V. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V. Résistance B: Transistor de puissance. Résistance BE: -150V. C (in): -8A. C (out): 50W
Transistor PNP, 8A, TO-220, TO-220AB, 150V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension collecteur/émetteur Vceo: 150V. Diode BE: non. Diode CE: non. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 30 MHz. Fonction: pour amplificateur audio. Gain hFE maxi: 40. Gain hFE mini: 20. Ic(puls): 16A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 50W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJE15030G. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 150V. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V. Résistance B: Transistor de puissance. Résistance BE: -150V. C (in): -8A. C (out): 50W
MJE15033
Transistor PNP, -250V, -8A, TO-220. Tension collecteur-émetteur VCEO: -250V. Courant de collecteur:...
Transistor PNP, -250V, -8A, TO-220. Tension collecteur-émetteur VCEO: -250V. Courant de collecteur: -8A. Boîtier: TO-220. Type de transistor: Transistor de puissance. Polarité: PNP. Puissance: 50W. Fréquence maxi: 30MHz
Transistor PNP, -250V, -8A, TO-220. Tension collecteur-émetteur VCEO: -250V. Courant de collecteur: -8A. Boîtier: TO-220. Type de transistor: Transistor de puissance. Polarité: PNP. Puissance: 50W. Fréquence maxi: 30MHz
MJE15033G
Transistor PNP, TO-220, 8A, TO-220AB, 250V. Boîtier: TO-220. Courant de collecteur: 8A. Boîtier (s...
Transistor PNP, TO-220, 8A, TO-220AB, 250V. Boîtier: TO-220. Courant de collecteur: 8A. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension collecteur/émetteur Vceo: 250V. RoHS: oui. Résistance B: oui. Diode BE: non. Résistance BE: soudure sur circuit imprimé. C (in): TO-220. C (out): 2pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 30 MHz. Fonction: pour amplificateur audio. Gain hFE maxi: 50. Gain hFE mini: 10. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 50W. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJE15032. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 250V. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V
Transistor PNP, TO-220, 8A, TO-220AB, 250V. Boîtier: TO-220. Courant de collecteur: 8A. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension collecteur/émetteur Vceo: 250V. RoHS: oui. Résistance B: oui. Diode BE: non. Résistance BE: soudure sur circuit imprimé. C (in): TO-220. C (out): 2pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 30 MHz. Fonction: pour amplificateur audio. Gain hFE maxi: 50. Gain hFE mini: 10. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 50W. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJE15032. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 250V. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V
MJE15035G
Transistor PNP, 4A, TO-220, TO-220AB, 350V. Courant de collecteur: 4A. Boîtier: TO-220. Boîtier (s...
Transistor PNP, 4A, TO-220, TO-220AB, 350V. Courant de collecteur: 4A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension collecteur/émetteur Vceo: 350V. Diode BE: non. C (out): 2.5pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 30 MHz. Gain hFE maxi: 100. Gain hFE mini: 10. Ic(puls): 8A. Remarque: transistor complémentaire (paire) MJE15034G. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 50W. RoHS: oui. Spec info: hFE=100 (Min) @ IC=0.5Adc. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 350V. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V
Transistor PNP, 4A, TO-220, TO-220AB, 350V. Courant de collecteur: 4A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension collecteur/émetteur Vceo: 350V. Diode BE: non. C (out): 2.5pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 30 MHz. Gain hFE maxi: 100. Gain hFE mini: 10. Ic(puls): 8A. Remarque: transistor complémentaire (paire) MJE15034G. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 50W. RoHS: oui. Spec info: hFE=100 (Min) @ IC=0.5Adc. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 350V. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V
MJE210G
Transistor PNP, 5A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-225, 40V. Courant de collecteur: 5A. Boîtier: TO-12...
Transistor PNP, 5A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-225, 40V. Courant de collecteur: 5A. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). Boîtier (selon fiche technique): TO-225. Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V. Diode BE: non. C (out): 120pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 65MHz. Dissipation de puissance maxi: 15W. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJE200. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 25V. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1.8V. Vebo: 8V
Transistor PNP, 5A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-225, 40V. Courant de collecteur: 5A. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). Boîtier (selon fiche technique): TO-225. Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V. Diode BE: non. C (out): 120pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 65MHz. Dissipation de puissance maxi: 15W. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJE200. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 25V. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1.8V. Vebo: 8V
MJE253G
Transistor PNP, 4A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-225, 100V, -100V, -4A, TO-126. Courant de collecteur...
Transistor PNP, 4A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-225, 100V, -100V, -4A, TO-126. Courant de collecteur: 4A. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). Boîtier (selon fiche technique): TO-225. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Tension collecteur-émetteur VCEO: -100V. Courant de collecteur: -4A. Boîtier: TO-126. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 40 MHz. Fonction: Commutation à grande vitesse. Audio. Gain hFE maxi: 180. Gain hFE mini: 40. Ic(puls): 8A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 15W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJE243. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Vebo: 7V. Type de transistor: Transistor de puissance. Polarité: PNP. Puissance: 15W. Fréquence maxi: 40 MHz
Transistor PNP, 4A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-225, 100V, -100V, -4A, TO-126. Courant de collecteur: 4A. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). Boîtier (selon fiche technique): TO-225. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Tension collecteur-émetteur VCEO: -100V. Courant de collecteur: -4A. Boîtier: TO-126. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 40 MHz. Fonction: Commutation à grande vitesse. Audio. Gain hFE maxi: 180. Gain hFE mini: 40. Ic(puls): 8A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 15W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJE243. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Vebo: 7V. Type de transistor: Transistor de puissance. Polarité: PNP. Puissance: 15W. Fréquence maxi: 40 MHz
MJE2955T
Transistor PNP, 10A, TO-220, TO-220AB, 60V. Courant de collecteur: 10A. Boîtier: TO-220. Boîtier (...
Transistor PNP, 10A, TO-220, TO-220AB, 60V. Courant de collecteur: 10A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. RoHS: oui. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 2 MHz. Fonction: NF-L. Gain hFE maxi: 70. Gain hFE mini: 20. Ic(puls): +150°C. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 75W. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJE3055T. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial-Base'. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 70V. Tension de saturation VCE(sat): 1.1V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 8V. Vebo: 5V. Résistance B: Transistor de puissance. Résistance BE: -70V. C (in): -10A. C (out): 90W
Transistor PNP, 10A, TO-220, TO-220AB, 60V. Courant de collecteur: 10A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. RoHS: oui. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 2 MHz. Fonction: NF-L. Gain hFE maxi: 70. Gain hFE mini: 20. Ic(puls): +150°C. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 75W. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJE3055T. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial-Base'. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 70V. Tension de saturation VCE(sat): 1.1V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 8V. Vebo: 5V. Résistance B: Transistor de puissance. Résistance BE: -70V. C (in): -10A. C (out): 90W
MJE2955T-CDIL
Transistor PNP, 10A, TO-220, TO-220AB, 60V. Courant de collecteur: 10A. Boîtier: TO-220. Boîtier (...
Transistor PNP, 10A, TO-220, TO-220AB, 60V. Courant de collecteur: 10A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 2 MHz. Fonction: pour amplificateurs audio Hi-fi et régulateurs à découpage. Gain hFE maxi: 100. Gain hFE mini: 20. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 75W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJE3055T. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial-Base'. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 70V. Tension de saturation VCE(sat): 1.1V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 8V. Vebo: 5V
Transistor PNP, 10A, TO-220, TO-220AB, 60V. Courant de collecteur: 10A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 2 MHz. Fonction: pour amplificateurs audio Hi-fi et régulateurs à découpage. Gain hFE maxi: 100. Gain hFE mini: 20. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 75W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJE3055T. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial-Base'. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 70V. Tension de saturation VCE(sat): 1.1V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 8V. Vebo: 5V
MJE2955TG
Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé, TO-220, TO-220, 60V, 10A. Boîtier: soudure sur circui...
Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé, TO-220, TO-220, 60V, 10A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Boîtier (norme JEDEC): TO-220. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 60V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 10A. RoHS: oui. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: MJE2955TG. Fréquence de coupure ft [MHz]: 2 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 75W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor de puissance PNP
Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé, TO-220, TO-220, 60V, 10A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Boîtier (norme JEDEC): TO-220. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 60V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 10A. RoHS: oui. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: MJE2955TG. Fréquence de coupure ft [MHz]: 2 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 75W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor de puissance PNP
MJE350
Transistor PNP, 300V, 500mA, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 300V, -300V, -0.5A, TO-126. Tension co...
Transistor PNP, 300V, 500mA, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 300V, -300V, -0.5A, TO-126. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 300V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 500mA. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). Boîtier (selon fiche technique): TO-126. Tension collecteur/émetteur Vceo: 300V. Tension collecteur-émetteur VCEO: -300V. Courant de collecteur: -0.5A. Boîtier: TO-126. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: MJE350. Dissipation maximale Ptot [W]: 20W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Fréquence de coupure ft [MHz]: 240. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 20W. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJE340. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 300V. Vebo: 3V. Type de transistor: Transistor de puissance. Polarité: PNP. Puissance: 20.8W
Transistor PNP, 300V, 500mA, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 300V, -300V, -0.5A, TO-126. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 300V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 500mA. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). Boîtier (selon fiche technique): TO-126. Tension collecteur/émetteur Vceo: 300V. Tension collecteur-émetteur VCEO: -300V. Courant de collecteur: -0.5A. Boîtier: TO-126. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: MJE350. Dissipation maximale Ptot [W]: 20W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Fréquence de coupure ft [MHz]: 240. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 20W. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJE340. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 300V. Vebo: 3V. Type de transistor: Transistor de puissance. Polarité: PNP. Puissance: 20.8W
MJE350-ONS
Transistor PNP, 0.5A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-225, 300V. Courant de collecteur: 0.5A. Boîtier: ...
Transistor PNP, 0.5A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-225, 300V. Courant de collecteur: 0.5A. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). Boîtier (selon fiche technique): TO-225. Tension collecteur/émetteur Vceo: 300V. Diode BE: non. C (in): 7pF. C (out): 110pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 10 MHz. Gain hFE maxi: 240. Gain hFE mini: 30. Equivalences: KSE350. Dissipation de puissance maxi: 20.8W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJE340. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vebo: 3V
Transistor PNP, 0.5A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-225, 300V. Courant de collecteur: 0.5A. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). Boîtier (selon fiche technique): TO-225. Tension collecteur/émetteur Vceo: 300V. Diode BE: non. C (in): 7pF. C (out): 110pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 10 MHz. Gain hFE maxi: 240. Gain hFE mini: 30. Equivalences: KSE350. Dissipation de puissance maxi: 20.8W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJE340. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vebo: 3V
MJE350-ST
Transistor PNP, 0.5A, TO-126F, TO-225, 300V. Courant de collecteur: 0.5A. Boîtier: TO-126F. Boîtie...
Transistor PNP, 0.5A, TO-126F, TO-225, 300V. Courant de collecteur: 0.5A. Boîtier: TO-126F. Boîtier (selon fiche technique): TO-225. Tension collecteur/émetteur Vceo: 300V. Diode BE: non. C (out): 30pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 10 MHz. Fonction: NF-L. Gain hFE maxi: 240. Gain hFE mini: 30. Remarque: boîtier plastique. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 20.8W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJE340. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 300V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.5V. Vebo: 3V
Transistor PNP, 0.5A, TO-126F, TO-225, 300V. Courant de collecteur: 0.5A. Boîtier: TO-126F. Boîtier (selon fiche technique): TO-225. Tension collecteur/émetteur Vceo: 300V. Diode BE: non. C (out): 30pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 10 MHz. Fonction: NF-L. Gain hFE maxi: 240. Gain hFE mini: 30. Remarque: boîtier plastique. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 20.8W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJE340. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 300V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.5V. Vebo: 3V
MJE350G
Transistor PNP, 300V, 500mA, -300V, -0.5A, TO-126. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 300V. Cour...
Transistor PNP, 300V, 500mA, -300V, -0.5A, TO-126. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 300V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 500mA. Tension collecteur-émetteur VCEO: -300V. Courant de collecteur: -0.5A. Boîtier: TO-126. Marquage du fabricant: MJE350G. Dissipation maximale Ptot [W]: 20W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Type de transistor: Transistor de puissance. Polarité: PNP. Puissance: 20W. Fréquence maxi: 10MHz
Transistor PNP, 300V, 500mA, -300V, -0.5A, TO-126. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 300V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 500mA. Tension collecteur-émetteur VCEO: -300V. Courant de collecteur: -0.5A. Boîtier: TO-126. Marquage du fabricant: MJE350G. Dissipation maximale Ptot [W]: 20W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Type de transistor: Transistor de puissance. Polarité: PNP. Puissance: 20W. Fréquence maxi: 10MHz
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