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Composants et matériels électroniques, pour entreprises et particuliers
Semi-conducteurs Transistors
Transistors bipolaires PNP

Transistors bipolaires PNP

509 produits disponibles
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Quantité en stock : 43
DTA124EKA

DTA124EKA

Transistor PNP, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V. Courant de collecteur: 0.1A. Boîtie...
DTA124EKA
Transistor PNP, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V. Courant de collecteur: 0.1A. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Diode BE: non. Diode CE: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 250 MHz. Fonction: Transistors numériques (résistances intégrées). Marquage sur le boîtier: 15. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 0.2W. RoHS: oui. Spec info: sérigraphie/code CMS 15. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Type de transistor: PNP
DTA124EKA
Transistor PNP, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V. Courant de collecteur: 0.1A. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Diode BE: non. Diode CE: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 250 MHz. Fonction: Transistors numériques (résistances intégrées). Marquage sur le boîtier: 15. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 0.2W. RoHS: oui. Spec info: sérigraphie/code CMS 15. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Type de transistor: PNP
Lot de 1
0.70$ TTC
(0.67$ HT)
0.70$
Quantité en stock : 12
DTA143ES

DTA143ES

Transistor PNP, 0.1A, SC-72, SC-72 ( D143 ), 50V. Courant de collecteur: 0.1A. Boîtier: SC-72. Boî...
DTA143ES
Transistor PNP, 0.1A, SC-72, SC-72 ( D143 ), 50V. Courant de collecteur: 0.1A. Boîtier: SC-72. Boîtier (selon fiche technique): SC-72 ( D143 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Type de transistor: PNP
DTA143ES
Transistor PNP, 0.1A, SC-72, SC-72 ( D143 ), 50V. Courant de collecteur: 0.1A. Boîtier: SC-72. Boîtier (selon fiche technique): SC-72 ( D143 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Type de transistor: PNP
Lot de 1
2.16$ TTC
(2.06$ HT)
2.16$
Quantité en stock : 65
DTA143ZT

DTA143ZT

Transistor PNP, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V. Courant de collecteur: 100mA. Boît...
DTA143ZT
Transistor PNP, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V. Courant de collecteur: 100mA. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Résistance B: 4.7k Ohms. Diode BE: non. Résistance BE: 47k Ohms. C (out): 3pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Transistor PNP équipé d'une résistance. Gain hFE mini: 100. Ic(puls): 100mA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.25W. RoHS: oui. Spec info: sérigraphie/code CMS 19. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 50V. Tension de saturation VCE(sat): 0.1V. Vebo: 10V
DTA143ZT
Transistor PNP, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V. Courant de collecteur: 100mA. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Résistance B: 4.7k Ohms. Diode BE: non. Résistance BE: 47k Ohms. C (out): 3pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Transistor PNP équipé d'une résistance. Gain hFE mini: 100. Ic(puls): 100mA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.25W. RoHS: oui. Spec info: sérigraphie/code CMS 19. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 50V. Tension de saturation VCE(sat): 0.1V. Vebo: 10V
Lot de 10
2.28$ TTC
(2.17$ HT)
2.28$
Quantité en stock : 375
FMMT720

FMMT720

Transistor PNP, 1.5A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 40V. Courant de collecteur: 1.5A. Boîtie...
FMMT720
Transistor PNP, 1.5A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 40V. Courant de collecteur: 1.5A. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 190 MHz. Fonction: Transistor de commutation. Gain hFE maxi: 480. Gain hFE mini: 60. Ic(puls): 4A. Remarque: transistor complémentaire (paire) FMMT619. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. RoHS: oui. Spec info: sérigraphie/code CMS 720. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 40V. Tension de saturation VCE(sat): 0.25V. Vebo: 5V
FMMT720
Transistor PNP, 1.5A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 40V. Courant de collecteur: 1.5A. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 190 MHz. Fonction: Transistor de commutation. Gain hFE maxi: 480. Gain hFE mini: 60. Ic(puls): 4A. Remarque: transistor complémentaire (paire) FMMT619. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. RoHS: oui. Spec info: sérigraphie/code CMS 720. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 40V. Tension de saturation VCE(sat): 0.25V. Vebo: 5V
Lot de 1
0.98$ TTC
(0.93$ HT)
0.98$
Quantité en stock : 4
FP101

FP101

Transistor PNP, 2A, SANYO--PCP4, 25V. Courant de collecteur: 2A. Boîtier (selon fiche technique): S...
FP101
Transistor PNP, 2A, SANYO--PCP4, 25V. Courant de collecteur: 2A. Boîtier (selon fiche technique): SANYO--PCP4. Tension collecteur/émetteur Vceo: 25V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Ic(puls): 5A. Nombre de connexions: 7. RoHS: oui. Spec info: 2SB1121 et SB05-05CP intégrés dans un seul boîtier. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: Epitaxial Planar Silicon Transistor, Composite Schottky Barrier Diode. Type de transistor: PNP. Vcbo: 30 v
FP101
Transistor PNP, 2A, SANYO--PCP4, 25V. Courant de collecteur: 2A. Boîtier (selon fiche technique): SANYO--PCP4. Tension collecteur/émetteur Vceo: 25V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Ic(puls): 5A. Nombre de connexions: 7. RoHS: oui. Spec info: 2SB1121 et SB05-05CP intégrés dans un seul boîtier. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: Epitaxial Planar Silicon Transistor, Composite Schottky Barrier Diode. Type de transistor: PNP. Vcbo: 30 v
Lot de 1
6.21$ TTC
(5.91$ HT)
6.21$
Quantité en stock : 22
FP1016

FP1016

Transistor PNP, 8A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 160V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: TO-...
FP1016
Transistor PNP, 8A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 160V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PF. Tension collecteur/émetteur Vceo: 160V. Diode CE: oui. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 65 MHz. Fonction: hFE 5000. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 70W. Spec info: transistor complémentaire (paire) FN1016. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP
FP1016
Transistor PNP, 8A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 160V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PF. Tension collecteur/émetteur Vceo: 160V. Diode CE: oui. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 65 MHz. Fonction: hFE 5000. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 70W. Spec info: transistor complémentaire (paire) FN1016. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP
Lot de 1
5.79$ TTC
(5.51$ HT)
5.79$
Quantité en stock : 1
FP106TL

FP106TL

Transistor PNP, 3A, PCP4, 15V. Courant de collecteur: 3A. Boîtier (selon fiche technique): PCP4. Te...
FP106TL
Transistor PNP, 3A, PCP4, 15V. Courant de collecteur: 3A. Boîtier (selon fiche technique): PCP4. Tension collecteur/émetteur Vceo: 15V. Diode CE: oui. Quantité par boîtier: 2. Matériau semi-conducteur: silicium. Gain hFE maxi: 280. Gain hFE mini: 100. Nombre de connexions: 6. RoHS: oui. Spec info: Transistor + diode block. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tension de saturation VCE(sat): 0.25V
FP106TL
Transistor PNP, 3A, PCP4, 15V. Courant de collecteur: 3A. Boîtier (selon fiche technique): PCP4. Tension collecteur/émetteur Vceo: 15V. Diode CE: oui. Quantité par boîtier: 2. Matériau semi-conducteur: silicium. Gain hFE maxi: 280. Gain hFE mini: 100. Nombre de connexions: 6. RoHS: oui. Spec info: Transistor + diode block. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tension de saturation VCE(sat): 0.25V
Lot de 1
6.28$ TTC
(5.98$ HT)
6.28$
Quantité en stock : 914
FZT558TA

FZT558TA

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-223, 400V, 0.2A. Boîtier: soudure sur circu...
FZT558TA
Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-223, 400V, 0.2A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-223. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 400V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 0.2A. RoHS: oui. Famille de composants: transistor PNP haute tension. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: FZT558. Fréquence de coupure ft [MHz]: 50 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 2W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C
FZT558TA
Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-223, 400V, 0.2A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-223. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 400V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 0.2A. RoHS: oui. Famille de composants: transistor PNP haute tension. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: FZT558. Fréquence de coupure ft [MHz]: 50 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 2W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C
Lot de 1
2.33$ TTC
(2.22$ HT)
2.33$
Quantité en stock : 46
FZT949

FZT949

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-223, 30 v, 5.5A. Boîtier: soudure sur circu...
FZT949
Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-223, 30 v, 5.5A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-223. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 30 v. Courant de collecteur Ic [A], max.: 5.5A. RoHS: oui. Famille de composants: transistor de puissance PNP. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: FZT949. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 3W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C
FZT949
Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-223, 30 v, 5.5A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-223. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 30 v. Courant de collecteur Ic [A], max.: 5.5A. RoHS: oui. Famille de composants: transistor de puissance PNP. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: FZT949. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 3W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C
Lot de 1
2.81$ TTC
(2.68$ HT)
2.81$
Quantité en stock : 44
GF506

GF506

Transistor PNP. Quantité par boîtier: 1...
GF506
Transistor PNP. Quantité par boîtier: 1
GF506
Transistor PNP. Quantité par boîtier: 1
Lot de 1
0.49$ TTC
(0.47$ HT)
0.49$
Quantité en stock : 250
GSB772S

GSB772S

Transistor PNP, 3A, 40V. Courant de collecteur: 3A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V. QuantitÃ...
GSB772S
Transistor PNP, 3A, 40V. Courant de collecteur: 3A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 80 MHz. Remarque: hFE 100...400. Dissipation de puissance maxi: 0.4W. Spec info: TO-92. Type de transistor: PNP
GSB772S
Transistor PNP, 3A, 40V. Courant de collecteur: 3A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 80 MHz. Remarque: hFE 100...400. Dissipation de puissance maxi: 0.4W. Spec info: TO-92. Type de transistor: PNP
Lot de 1
0.61$ TTC
(0.58$ HT)
0.61$
Quantité en stock : 102
HT772-P

HT772-P

Transistor PNP, 3A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 30 v. Courant de collecteur: 3A. Boîtier: TO-1...
HT772-P
Transistor PNP, 3A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 30 v. Courant de collecteur: 3A. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). Boîtier (selon fiche technique): TO-126. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: hFE 160...320. Spec info: boîtier NON isolé. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Vcbo: 40V
HT772-P
Transistor PNP, 3A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 30 v. Courant de collecteur: 3A. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). Boîtier (selon fiche technique): TO-126. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: hFE 160...320. Spec info: boîtier NON isolé. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Vcbo: 40V
Lot de 1
0.60$ TTC
(0.57$ HT)
0.60$
Quantité en stock : 153
KSA642

KSA642

Transistor PNP, 0.2A, TO-92, TO-92, 30 v. Courant de collecteur: 0.2A. Boîtier: TO-92. Boîtier (se...
KSA642
Transistor PNP, 0.2A, TO-92, TO-92, 30 v. Courant de collecteur: 0.2A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 200 MHz. Fonction: usage général. Dissipation de puissance maxi: 0.25W. Spec info: KSA642-O. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP
KSA642
Transistor PNP, 0.2A, TO-92, TO-92, 30 v. Courant de collecteur: 0.2A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 200 MHz. Fonction: usage général. Dissipation de puissance maxi: 0.25W. Spec info: KSA642-O. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP
Lot de 5
1.29$ TTC
(1.23$ HT)
1.29$
En rupture de stock
KSA733-Y

KSA733-Y

Transistor PNP, 0.15A, 60V. Courant de collecteur: 0.15A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Qu...
KSA733-Y
Transistor PNP, 0.15A, 60V. Courant de collecteur: 0.15A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 180 MHz. Dissipation de puissance maxi: 0.25W. Type de transistor: PNP
KSA733-Y
Transistor PNP, 0.15A, 60V. Courant de collecteur: 0.15A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 180 MHz. Dissipation de puissance maxi: 0.25W. Type de transistor: PNP
Lot de 1
0.66$ TTC
(0.63$ HT)
0.66$
Quantité en stock : 15
KSA928A-Y

KSA928A-Y

Transistor PNP, 2A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 30 v. Courant de collecteur: 2A. Boîtier: TO-92. Boîtie...
KSA928A-Y
Transistor PNP, 2A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 30 v. Courant de collecteur: 2A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92M ( 9mm ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 120 MHz. Fonction: 9mm. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 1W. Spec info: Samsung>> STB1277. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Vcbo: 30 v. Vebo: 5V
KSA928A-Y
Transistor PNP, 2A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 30 v. Courant de collecteur: 2A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92M ( 9mm ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 120 MHz. Fonction: 9mm. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 1W. Spec info: Samsung>> STB1277. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Vcbo: 30 v. Vebo: 5V
Lot de 1
1.86$ TTC
(1.77$ HT)
1.86$
Quantité en stock : 17
KSA931

KSA931

Transistor PNP, 0.7A, 80V. Courant de collecteur: 0.7A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Diod...
KSA931
Transistor PNP, 0.7A, 80V. Courant de collecteur: 0.7A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Diode CE: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 100 MHz. Fonction: NF/S. Dissipation de puissance maxi: 1W. Spec info: hauteur 9mm. Type de transistor: PNP
KSA931
Transistor PNP, 0.7A, 80V. Courant de collecteur: 0.7A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Diode CE: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 100 MHz. Fonction: NF/S. Dissipation de puissance maxi: 1W. Spec info: hauteur 9mm. Type de transistor: PNP
Lot de 1
1.40$ TTC
(1.33$ HT)
1.40$
Quantité en stock : 396
KSA940

KSA940

Transistor PNP, 1.5A, TO-220, TO-220, 150V. Courant de collecteur: 1.5A. Boîtier: TO-220. Boîtier ...
KSA940
Transistor PNP, 1.5A, TO-220, TO-220, 150V. Courant de collecteur: 1.5A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 150V. Diode BE: non. C (out): 55pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 4 MHz. Fonction: TV-HA. Dissipation de puissance maxi: 25W. Spec info: transistor complémentaire (paire) KSC2073. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Vcbo: 150V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1.5V. Vebo: 5V
KSA940
Transistor PNP, 1.5A, TO-220, TO-220, 150V. Courant de collecteur: 1.5A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 150V. Diode BE: non. C (out): 55pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 4 MHz. Fonction: TV-HA. Dissipation de puissance maxi: 25W. Spec info: transistor complémentaire (paire) KSC2073. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Vcbo: 150V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1.5V. Vebo: 5V
Lot de 1
1.48$ TTC
(1.41$ HT)
1.48$
Quantité en stock : 2419
KSA992-F

KSA992-F

Transistor PNP, 50mA, TO-92, TO-92 3L (AMMO), 120V. Courant de collecteur: 50mA. Boîtier: TO-92. Bo...
KSA992-F
Transistor PNP, 50mA, TO-92, TO-92 3L (AMMO), 120V. Courant de collecteur: 50mA. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92 3L (AMMO). Tension collecteur/émetteur Vceo: 120V. Diode BE: non. C (out): 2pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 100 MHz. Gain hFE maxi: 600. Gain hFE mini: 300. Marquage sur le boîtier: A992. Equivalences: 2SC992. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) KSC1845. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -...+150°C. Vcbo: 120V. Tension de saturation VCE(sat): 0.9V. Vebo: 5V
KSA992-F
Transistor PNP, 50mA, TO-92, TO-92 3L (AMMO), 120V. Courant de collecteur: 50mA. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92 3L (AMMO). Tension collecteur/émetteur Vceo: 120V. Diode BE: non. C (out): 2pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 100 MHz. Gain hFE maxi: 600. Gain hFE mini: 300. Marquage sur le boîtier: A992. Equivalences: 2SC992. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) KSC1845. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -...+150°C. Vcbo: 120V. Tension de saturation VCE(sat): 0.9V. Vebo: 5V
Lot de 1
0.62$ TTC
(0.59$ HT)
0.62$
Quantité en stock : 73
KSB1366GTU

KSB1366GTU

Transistor PNP, 3A, TO-220FP, TO-220, 60V. Courant de collecteur: 3A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (...
KSB1366GTU
Transistor PNP, 3A, TO-220FP, TO-220, 60V. Courant de collecteur: 3A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Diode BE: non. C (out): 35pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 9 MHz. Gain hFE maxi: 320. Gain hFE mini: 150. Marquage sur le boîtier: B1366-G. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 25W. Spec info: transistor complémentaire (paire) KSD2012. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: Silicon PNP Triple Diffused Type. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -55°C à +150°C. Vcbo: 60V. Tension de saturation VCE(sat): 0.4V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1V. Vebo: 7V
KSB1366GTU
Transistor PNP, 3A, TO-220FP, TO-220, 60V. Courant de collecteur: 3A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Diode BE: non. C (out): 35pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 9 MHz. Gain hFE maxi: 320. Gain hFE mini: 150. Marquage sur le boîtier: B1366-G. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 25W. Spec info: transistor complémentaire (paire) KSD2012. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: Silicon PNP Triple Diffused Type. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -55°C à +150°C. Vcbo: 60V. Tension de saturation VCE(sat): 0.4V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1V. Vebo: 7V
Lot de 1
2.87$ TTC
(2.73$ HT)
2.87$
Quantité en stock : 13
KSB564A

KSB564A

Transistor PNP, 1A, 30 v. Courant de collecteur: 1A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Diode ...
KSB564A
Transistor PNP, 1A, 30 v. Courant de collecteur: 1A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Diode CE: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 110 MHz. Dissipation de puissance maxi: 0.8W. Spec info: SAMSUNG. Type de transistor: PNP
KSB564A
Transistor PNP, 1A, 30 v. Courant de collecteur: 1A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Diode CE: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 110 MHz. Dissipation de puissance maxi: 0.8W. Spec info: SAMSUNG. Type de transistor: PNP
Lot de 1
0.53$ TTC
(0.50$ HT)
0.53$
Quantité en stock : 54
KSP2907AC

KSP2907AC

Transistor PNP, 0.6A, TO-92, TO-92, 60V. Courant de collecteur: 0.6A. Boîtier: TO-92. Boîtier (sel...
KSP2907AC
Transistor PNP, 0.6A, TO-92, TO-92, 60V. Courant de collecteur: 0.6A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. C (out): 12pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 200 MHz. Gain hFE maxi: 300. Gain hFE mini: 75. Remarque: brochage E, C, B. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Vcbo: 60V. Tension de saturation VCE(sat): 0.4V. Vebo: 5V
KSP2907AC
Transistor PNP, 0.6A, TO-92, TO-92, 60V. Courant de collecteur: 0.6A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. C (out): 12pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 200 MHz. Gain hFE maxi: 300. Gain hFE mini: 75. Remarque: brochage E, C, B. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Vcbo: 60V. Tension de saturation VCE(sat): 0.4V. Vebo: 5V
Lot de 5
1.18$ TTC
(1.12$ HT)
1.18$
Quantité en stock : 199
KSP92TA

KSP92TA

Transistor PNP, 500mA, TO-92, TO-92 ( Ammo Pack ), 300V. Courant de collecteur: 500mA. Boîtier: TO-...
KSP92TA
Transistor PNP, 500mA, TO-92, TO-92 ( Ammo Pack ), 300V. Courant de collecteur: 500mA. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92 ( Ammo Pack ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 300V. Diode BE: non. C (out): 6pF. Diode CE: non. Unité de conditionnement: 2000. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 50 MHz. Fonction: Transistor haute tension. Gain hFE maxi: 40. Gain hFE mini: 25. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: Transistor PNP au silicium épitaxial. Type de transistor: PNP. Vcbo: 300V. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V
KSP92TA
Transistor PNP, 500mA, TO-92, TO-92 ( Ammo Pack ), 300V. Courant de collecteur: 500mA. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92 ( Ammo Pack ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 300V. Diode BE: non. C (out): 6pF. Diode CE: non. Unité de conditionnement: 2000. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 50 MHz. Fonction: Transistor haute tension. Gain hFE maxi: 40. Gain hFE mini: 25. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: Transistor PNP au silicium épitaxial. Type de transistor: PNP. Vcbo: 300V. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V
Lot de 10
1.96$ TTC
(1.87$ HT)
1.96$
Quantité en stock : 2
KSR2001

KSR2001

Transistor PNP, 0.1A, 50V. Courant de collecteur: 0.1A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Diod...
KSR2001
Transistor PNP, 0.1A, 50V. Courant de collecteur: 0.1A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: S. Spec info: 0504-000142. Type de transistor: PNP
KSR2001
Transistor PNP, 0.1A, 50V. Courant de collecteur: 0.1A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: S. Spec info: 0504-000142. Type de transistor: PNP
Lot de 1
1.38$ TTC
(1.31$ HT)
1.38$
Quantité en stock : 18
KSR2004

KSR2004

Transistor PNP, 0.1A, TO-92, TO-92, 50V. Courant de collecteur: 0.1A. Boîtier: TO-92. Boîtier (sel...
KSR2004
Transistor PNP, 0.1A, TO-92, TO-92, 50V. Courant de collecteur: 0.1A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: SW. Nombre de connexions: 3. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Vcbo: 50V
KSR2004
Transistor PNP, 0.1A, TO-92, TO-92, 50V. Courant de collecteur: 0.1A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: SW. Nombre de connexions: 3. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Vcbo: 50V
Lot de 1
1.62$ TTC
(1.54$ HT)
1.62$
Quantité en stock : 89
KSR2007

KSR2007

Transistor PNP, 0.1A, TO-92, TO-92, 50V. Courant de collecteur: 0.1A. Boîtier: TO-92. Boîtier (sel...
KSR2007
Transistor PNP, 0.1A, TO-92, TO-92, 50V. Courant de collecteur: 0.1A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Résistance B: 47. Diode BE: non. Résistance BE: 47. C (out): 2.5pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: S. Spec info: 12159-301-810. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP
KSR2007
Transistor PNP, 0.1A, TO-92, TO-92, 50V. Courant de collecteur: 0.1A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Résistance B: 47. Diode BE: non. Résistance BE: 47. C (out): 2.5pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: S. Spec info: 12159-301-810. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP
Lot de 1
1.53$ TTC
(1.46$ HT)
1.53$

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