FR
EN
Composants et matériels électroniques, pour entreprises et particuliers
Semi-conducteurs Transistors
Transistors bipolaires PNP

Transistors bipolaires PNP

509 produits disponibles
Produits par page :
Quantité en stock : 200
BC807-16

BC807-16

ROHS: Oui. Boîtier: SOT23. Fréquence: 100MHz. Montage/installation: SMD. Type de transistor: PNP. ...
BC807-16
ROHS: Oui. Boîtier: SOT23. Fréquence: 100MHz. Montage/installation: SMD. Type de transistor: PNP. Polarité: bipolaire. Tension (collecteur - émetteur): 45V. Courant de collecteur Ic [A]: 500mA. Puissance: 0.25W
BC807-16
ROHS: Oui. Boîtier: SOT23. Fréquence: 100MHz. Montage/installation: SMD. Type de transistor: PNP. Polarité: bipolaire. Tension (collecteur - émetteur): 45V. Courant de collecteur Ic [A]: 500mA. Puissance: 0.25W
Lot de 1
0.83$ TTC
(0.79$ HT)
0.83$
Quantité en stock : 645
BC807-25

BC807-25

Transistor PNP, 0.5A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 45V. Courant de collecteur: 0.5A. Boîtie...
BC807-25
Transistor PNP, 0.5A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 45V. Courant de collecteur: 0.5A. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 100 MHz. Fonction: NF-TR. Marquage sur le boîtier: 5B. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.33W. RoHS: oui. Spec info: sérigraphie/code CMS 5B. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Type de transistor: PNP. Vcbo: 50V
BC807-25
Transistor PNP, 0.5A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 45V. Courant de collecteur: 0.5A. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 100 MHz. Fonction: NF-TR. Marquage sur le boîtier: 5B. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.33W. RoHS: oui. Spec info: sérigraphie/code CMS 5B. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Type de transistor: PNP. Vcbo: 50V
Lot de 10
1.09$ TTC
(1.04$ HT)
1.09$
Quantité en stock : 12566
BC807-25-5B

BC807-25-5B

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, TO-236, 45V, 800mA. Boîtier: soudure su...
BC807-25-5B
Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, TO-236, 45V, 800mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 45V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 800mA. RoHS: oui. Famille de composants: transistor PNP. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 5B. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.31W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C
BC807-25-5B
Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, TO-236, 45V, 800mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 45V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 800mA. RoHS: oui. Famille de composants: transistor PNP. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 5B. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.31W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C
Lot de 10
1.63$ TTC
(1.55$ HT)
1.63$
Quantité en stock : 13114
BC807-25LT1G-5B

BC807-25LT1G-5B

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, TO-236, 45V, 500mA. Boîtier: soudure su...
BC807-25LT1G-5B
Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, TO-236, 45V, 500mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 45V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 500mA. RoHS: oui. Famille de composants: transistor PNP. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 5B1. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.225W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C
BC807-25LT1G-5B
Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, TO-236, 45V, 500mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 45V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 500mA. RoHS: oui. Famille de composants: transistor PNP. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 5B1. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.225W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C
Lot de 5
1.35$ TTC
(1.29$ HT)
1.35$
Quantité en stock : 1683
BC807-40

BC807-40

Transistor PNP, 0.5A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT23 ( TO236 ), 45V. Courant de collecteur: 0.5A. Boîtier...
BC807-40
Transistor PNP, 0.5A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT23 ( TO236 ), 45V. Courant de collecteur: 0.5A. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT23 ( TO236 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. Diode BE: non. C (out): 5pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 80MHz. Fonction: NF-TR. Gain hFE maxi: 600. Gain hFE mini: 250. Ic(puls): 1A. Marquage sur le boîtier: 5C. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.25W. RoHS: oui. Spec info: sérigraphie/code CMS 5C. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 50V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.7V. Vebo: 5V
BC807-40
Transistor PNP, 0.5A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT23 ( TO236 ), 45V. Courant de collecteur: 0.5A. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT23 ( TO236 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. Diode BE: non. C (out): 5pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 80MHz. Fonction: NF-TR. Gain hFE maxi: 600. Gain hFE mini: 250. Ic(puls): 1A. Marquage sur le boîtier: 5C. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.25W. RoHS: oui. Spec info: sérigraphie/code CMS 5C. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 50V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.7V. Vebo: 5V
Lot de 10
0.85$ TTC
(0.81$ HT)
0.85$
Quantité en stock : 28273
BC807-40-5C

BC807-40-5C

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, TO-236, 45V, 800mA. Boîtier: soudure su...
BC807-40-5C
Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, TO-236, 45V, 800mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 45V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 800mA. RoHS: oui. Famille de composants: transistor PNP. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 5C. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.31W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C
BC807-40-5C
Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, TO-236, 45V, 800mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 45V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 800mA. RoHS: oui. Famille de composants: transistor PNP. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 5C. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.31W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C
Lot de 10
1.63$ TTC
(1.55$ HT)
1.63$
Quantité en stock : 35771
BC807-40LT1G-5C

BC807-40LT1G-5C

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, TO-236, 45V, 500mA. Boîtier: soudure su...
BC807-40LT1G-5C
Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, TO-236, 45V, 500mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 45V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 500mA. RoHS: oui. Famille de composants: transistor PNP. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 5C. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.225W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C
BC807-40LT1G-5C
Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, TO-236, 45V, 500mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 45V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 500mA. RoHS: oui. Famille de composants: transistor PNP. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 5C. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.225W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C
Lot de 5
1.35$ TTC
(1.29$ HT)
1.35$
Quantité en stock : 1082
BC808-40-5G

BC808-40-5G

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, TO-236, 25V, 500mA. Boîtier: soudure su...
BC808-40-5G
Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, TO-236, 25V, 500mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 25V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 500mA. RoHS: non. Famille de composants: transistor PNP. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 5G. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.225W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C
BC808-40-5G
Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, TO-236, 25V, 500mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 25V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 500mA. RoHS: non. Famille de composants: transistor PNP. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 5G. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.225W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C
Lot de 10
0.69$ TTC
(0.66$ HT)
0.69$
Quantité en stock : 378
BC856A

BC856A

Transistor PNP, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 65V. Courant de collecteur: 100mA. Boît...
BC856A
Transistor PNP, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 65V. Courant de collecteur: 100mA. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 65V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 100 MHz. Gain hFE maxi: 250. Gain hFE mini: 125. Ic(puls): 200mA. Marquage sur le boîtier: 3A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.25W. RoHS: oui. Spec info: sérigraphie/code CMS 3A. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 80V. Tension de saturation VCE(sat): 0.075V. Vebo: 5V
BC856A
Transistor PNP, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 65V. Courant de collecteur: 100mA. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 65V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 100 MHz. Gain hFE maxi: 250. Gain hFE mini: 125. Ic(puls): 200mA. Marquage sur le boîtier: 3A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.25W. RoHS: oui. Spec info: sérigraphie/code CMS 3A. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 80V. Tension de saturation VCE(sat): 0.075V. Vebo: 5V
Lot de 10
0.93$ TTC
(0.89$ HT)
0.93$
Quantité en stock : 121558
BC856B

BC856B

Transistor PNP, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 65V, 100mA. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîti...
BC856B
Transistor PNP, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 65V, 100mA. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 65V. Courant de collecteur: 100mA. Equivalences: ON Semiconductor BC856BLT1G. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 300mW. RoHS: oui. Spec info: sérigraphie/code CMS 3B. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 80V. Tension de saturation VCE(sat): 0.065V. Vebo: 5V. Diode BE: non. C (out): 4.5pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 100 MHz. Gain hFE maxi: 475. Gain hFE mini: 220. Ic(puls): 200mA. Marquage sur le boîtier: 3B
BC856B
Transistor PNP, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 65V, 100mA. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 65V. Courant de collecteur: 100mA. Equivalences: ON Semiconductor BC856BLT1G. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 300mW. RoHS: oui. Spec info: sérigraphie/code CMS 3B. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 80V. Tension de saturation VCE(sat): 0.065V. Vebo: 5V. Diode BE: non. C (out): 4.5pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 100 MHz. Gain hFE maxi: 475. Gain hFE mini: 220. Ic(puls): 200mA. Marquage sur le boîtier: 3B
Lot de 25
1.16$ TTC
(1.10$ HT)
1.16$
Quantité en stock : 21982
BC856B-3B

BC856B-3B

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, TO-236, 65V, 100mA. Boîtier: soudure su...
BC856B-3B
Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, TO-236, 65V, 100mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 65V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. RoHS: oui. Famille de composants: transistor PNP. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 3B. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.25W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C
BC856B-3B
Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, TO-236, 65V, 100mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 65V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. RoHS: oui. Famille de composants: transistor PNP. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 3B. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.25W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C
Lot de 10
1.51$ TTC
(1.44$ HT)
1.51$
Quantité en stock : 29125
BC856BLT1G-3B

BC856BLT1G-3B

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, TO-236, 65V, 100mA. Boîtier: soudure su...
BC856BLT1G-3B
Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, TO-236, 65V, 100mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 65V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. RoHS: oui. Famille de composants: transistor PNP. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 3B. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.225W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C
BC856BLT1G-3B
Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, TO-236, 65V, 100mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 65V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. RoHS: oui. Famille de composants: transistor PNP. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 3B. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.225W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C
Lot de 10
2.09$ TTC
(1.99$ HT)
2.09$
Quantité en stock : 1953
BC856BW-3F

BC856BW-3F

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé (CMS), SC-70, SOT-323, 65V, 100mA. Boîtier: soudure su...
BC856BW-3F
Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé (CMS), SC-70, SOT-323, 65V, 100mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SC-70. Boîtier (norme JEDEC): SOT-323. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 65V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. RoHS: oui. Famille de composants: transistor PNP. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 3B. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.2W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C
BC856BW-3F
Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé (CMS), SC-70, SOT-323, 65V, 100mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SC-70. Boîtier (norme JEDEC): SOT-323. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 65V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. RoHS: oui. Famille de composants: transistor PNP. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 3B. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.2W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C
Lot de 10
1.86$ TTC
(1.77$ HT)
1.86$
Quantité en stock : 65
BC857A

BC857A

Transistor PNP, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 45V. Courant de collecteur: 100mA. Boît...
BC857A
Transistor PNP, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 45V. Courant de collecteur: 100mA. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. Transistor Darlington?: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 100 MHz. Fonction: usage général. Gain hFE maxi: 250. Gain hFE mini: 125. Ic(puls): 200mA. Marquage sur le boîtier: 3E. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.25W. RoHS: oui. Spec info: SMD 3E. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: °C. Vcbo: 50V. Tension de saturation VCE(sat): 0.075V. Vebo: 5V
BC857A
Transistor PNP, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 45V. Courant de collecteur: 100mA. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. Transistor Darlington?: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 100 MHz. Fonction: usage général. Gain hFE maxi: 250. Gain hFE mini: 125. Ic(puls): 200mA. Marquage sur le boîtier: 3E. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.25W. RoHS: oui. Spec info: SMD 3E. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: °C. Vcbo: 50V. Tension de saturation VCE(sat): 0.075V. Vebo: 5V
Lot de 10
1.17$ TTC
(1.11$ HT)
1.17$
Quantité en stock : 811
BC857B

BC857B

Transistor PNP, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V, 100mA. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîti...
BC857B
Transistor PNP, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V, 100mA. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Courant de collecteur: 100mA. Dissipation de puissance maxi: 0.33W. Spec info: SMD KO0 3F. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Type de transistor: PNP. Vcbo: 50V. Vebo: 5V. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 150 MHz. Fonction: usage général. Ic(puls): 200mA. Marquage sur le boîtier: 3F. Nombre de connexions: 3
BC857B
Transistor PNP, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V, 100mA. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Courant de collecteur: 100mA. Dissipation de puissance maxi: 0.33W. Spec info: SMD KO0 3F. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Type de transistor: PNP. Vcbo: 50V. Vebo: 5V. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 150 MHz. Fonction: usage général. Ic(puls): 200mA. Marquage sur le boîtier: 3F. Nombre de connexions: 3
Lot de 10
0.98$ TTC
(0.93$ HT)
0.98$
Quantité en stock : 11073
BC857B-3F

BC857B-3F

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, TO-236, 45V, 100mA. Boîtier: soudure su...
BC857B-3F
Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, TO-236, 45V, 100mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 45V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. RoHS: oui. Famille de composants: transistor PNP. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 3F. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.25W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C
BC857B-3F
Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, TO-236, 45V, 100mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 45V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. RoHS: oui. Famille de composants: transistor PNP. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 3F. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.25W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C
Lot de 10
1.28$ TTC
(1.22$ HT)
1.28$
Quantité en stock : 8927
BC857BS-115

BC857BS-115

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé (CMS), TSSOP6, 50V, 100mA. Boîtier: soudure sur circui...
BC857BS-115
Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé (CMS), TSSOP6, 50V, 100mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: TSSOP6. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 50V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. RoHS: oui. Famille de composants: double transistor PNP. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 6. Marquage du fabricant: 3Ft. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.2W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C
BC857BS-115
Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé (CMS), TSSOP6, 50V, 100mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: TSSOP6. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 50V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. RoHS: oui. Famille de composants: double transistor PNP. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 6. Marquage du fabricant: 3Ft. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.2W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C
Lot de 1
0.78$ TTC
(0.74$ HT)
0.78$
Quantité en stock : 4919
BC857C

BC857C

Transistor PNP, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 45V. Courant de collecteur: 100mA. Boît...
BC857C
Transistor PNP, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 45V. Courant de collecteur: 100mA. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 100 MHz. Fonction: usage général. Gain hFE maxi: 800. Gain hFE mini: 420. Ic(puls): 200mA. Marquage sur le boîtier: 3 G. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.25W. RoHS: oui. Spec info: sérigraphie/code CMS 3G. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 50V. Tension de saturation VCE(sat): 0.075V. Vebo: 5V
BC857C
Transistor PNP, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 45V. Courant de collecteur: 100mA. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 100 MHz. Fonction: usage général. Gain hFE maxi: 800. Gain hFE mini: 420. Ic(puls): 200mA. Marquage sur le boîtier: 3 G. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.25W. RoHS: oui. Spec info: sérigraphie/code CMS 3G. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 50V. Tension de saturation VCE(sat): 0.075V. Vebo: 5V
Lot de 1
0.07$ TTC
(0.07$ HT)
0.07$
Quantité en stock : 8584
BC857C-3G

BC857C-3G

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, TO-236, 45V, 100mA. Boîtier: soudure su...
BC857C-3G
Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, TO-236, 45V, 100mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 45V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. RoHS: oui. Famille de composants: transistor PNP. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 3G. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.25W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C
BC857C-3G
Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, TO-236, 45V, 100mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 45V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. RoHS: oui. Famille de composants: transistor PNP. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 3G. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.25W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C
Lot de 1
0.36$ TTC
(0.34$ HT)
0.36$
Quantité en stock : 2700
BC858B

BC858B

Transistor PNP, SOT23, 30V. Boîtier: SOT23. Tension collecteur-émetteur VCEO: 30V. Type: transisto...
BC858B
Transistor PNP, SOT23, 30V. Boîtier: SOT23. Tension collecteur-émetteur VCEO: 30V. Type: transistor pour applications basse puissance. Polarité: PNP. Puissance: 0.25W. Tension base / collecteur VCBO: 30V. Type de montage: SMD. Bande passante MHz: 100MHz. Gain hFE min.: 220. Courant maximum 1: 0.1A. Série: BC
BC858B
Transistor PNP, SOT23, 30V. Boîtier: SOT23. Tension collecteur-émetteur VCEO: 30V. Type: transistor pour applications basse puissance. Polarité: PNP. Puissance: 0.25W. Tension base / collecteur VCBO: 30V. Type de montage: SMD. Bande passante MHz: 100MHz. Gain hFE min.: 220. Courant maximum 1: 0.1A. Série: BC
Lot de 1
0.06$ TTC
(0.06$ HT)
0.06$
Quantité en stock : 7196
BC858C-3G

BC858C-3G

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, TO-236, 30 v, 100mA. Boîtier: soudure s...
BC858C-3G
Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, TO-236, 30 v, 100mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 30 v. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. RoHS: oui. Famille de composants: transistor PNP. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 3G. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.25W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C
BC858C-3G
Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, TO-236, 30 v, 100mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 30 v. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. RoHS: oui. Famille de composants: transistor PNP. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 3G. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.25W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C
Lot de 1
0.36$ TTC
(0.34$ HT)
0.36$
Quantité en stock : 16297
BC858CLT1G-3L

BC858CLT1G-3L

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, TO-236, 30 v, 100mA. Boîtier: soudure s...
BC858CLT1G-3L
Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, TO-236, 30 v, 100mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 30 v. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. RoHS: oui. Famille de composants: transistor PNP. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 3L. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.225W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C
BC858CLT1G-3L
Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, TO-236, 30 v, 100mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 30 v. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. RoHS: oui. Famille de composants: transistor PNP. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 3L. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.225W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C
Lot de 10
2.21$ TTC
(2.10$ HT)
2.21$
Quantité en stock : 71
BC859B

BC859B

Transistor PNP, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v. Courant de collecteur: 100mA. Boî...
BC859B
Transistor PNP, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v. Courant de collecteur: 100mA. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 100 MHz. Fonction: usage général. Gain hFE maxi: 475. Gain hFE mini: 220. Ic(puls): 200mA. Marquage sur le boîtier: 3F. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.25W. RoHS: oui. Spec info: SMD 3F. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: 'Epitaxial Planar Transistor'. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 30 v. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Vebo: 5V
BC859B
Transistor PNP, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v. Courant de collecteur: 100mA. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 100 MHz. Fonction: usage général. Gain hFE maxi: 475. Gain hFE mini: 220. Ic(puls): 200mA. Marquage sur le boîtier: 3F. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.25W. RoHS: oui. Spec info: SMD 3F. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: 'Epitaxial Planar Transistor'. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 30 v. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Vebo: 5V
Lot de 10
0.97$ TTC
(0.92$ HT)
0.97$
Quantité en stock : 113
BC859C

BC859C

Transistor PNP, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v. Courant de collecteur: 100mA. Boî...
BC859C
Transistor PNP, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v. Courant de collecteur: 100mA. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 100 MHz. Fonction: usage général. Gain hFE maxi: 800. Gain hFE mini: 420. Ic(puls): 200mA. Marquage sur le boîtier: 3 G. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.25W. RoHS: oui. Spec info: sérigraphie/code CMS 3G/4C. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: 'Epitaxial Planar Transistor'. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 30 v. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Vebo: 5V
BC859C
Transistor PNP, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v. Courant de collecteur: 100mA. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 100 MHz. Fonction: usage général. Gain hFE maxi: 800. Gain hFE mini: 420. Ic(puls): 200mA. Marquage sur le boîtier: 3 G. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.25W. RoHS: oui. Spec info: sérigraphie/code CMS 3G/4C. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: 'Epitaxial Planar Transistor'. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 30 v. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Vebo: 5V
Lot de 10
0.98$ TTC
(0.93$ HT)
0.98$
Quantité en stock : 649
BC859C-4C

BC859C-4C

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, TO-236, 30 v, 100mA. Boîtier: soudure s...
BC859C-4C
Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, TO-236, 30 v, 100mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 30 v. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. RoHS: non. Famille de composants: transistor PNP. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 4C. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.225W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C
BC859C-4C
Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, TO-236, 30 v, 100mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 30 v. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. RoHS: non. Famille de composants: transistor PNP. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 4C. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.225W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C
Lot de 10
1.45$ TTC
(1.38$ HT)
1.45$

Renseignements et aide technique

Par téléphone :

Paiement et livraison

Livraison en 2-3 jours, avec suivi postal!

S'abonner à la newsletter

J'accepte de recevoir des emails, et je comprends que je peux me désabonner à tout moment après inscription.

Tous droits réservés, RPtronics, 2024.