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Transistor BD650

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Transistor BD650. Quantité par boîtier: 1 db. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de collecteur: 8A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Transistor Darlington?: oui. Fonction: NF-L. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Ic(puls): 12A. Gain hFE mini: 750. Nombre de connexions: 3 pièces. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Dissipation de puissance maxi: 62.5W. Tension de saturation VCE(sat): 2V. Matériau semi-conducteur: silicium. Type de transistor: PNP. Vcbo: 120V. Vebo: 5V. FT: 10 MHz. Quantité en stock actualisée le 01/08/2025, 10:25.

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