Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 1.27$ | 1.33$ |
5 - 9 | 1.21$ | 1.27$ |
10 - 24 | 1.17$ | 1.23$ |
25 - 49 | 1.14$ | 1.20$ |
50 - 99 | 1.12$ | 1.18$ |
100 - 249 | 1.08$ | 1.13$ |
250+ | 1.04$ | 1.09$ |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 1.27$ | 1.33$ |
5 - 9 | 1.21$ | 1.27$ |
10 - 24 | 1.17$ | 1.23$ |
25 - 49 | 1.14$ | 1.20$ |
50 - 99 | 1.12$ | 1.18$ |
100 - 249 | 1.08$ | 1.13$ |
250+ | 1.04$ | 1.09$ |
Transistor STX112. Quantité par boîtier: 1 db. Spec.info: R1=7K, R2=230R. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Diode BE: NINCS. Diode CE: NINCS. Courant de collecteur: 2A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Transistor Darlington?: oui. Fonction: Applications linéaires et de commutation. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Ic(puls): 4A. Gain hFE maxi: 1000. Gain hFE mini: 500. Nombre de connexions: 3 pièces. Dissipation de puissance maxi: 1.2W. Technologie: Darlington monolithique. ROHS: oui. Tension de saturation VCE(sat): 2.5V. Matériau semi-conducteur: silicium. Température: +150°C. Type de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Vebo: 5V. Quantité en stock actualisée le 14/06/2025, 21:25.
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