Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 1 | 8.03$ | 8.43$ |
2 - 2 | 7.63$ | 8.01$ |
3 - 4 | 7.39$ | 7.76$ |
5 - 9 | 7.23$ | 7.59$ |
10 - 19 | 7.07$ | 7.42$ |
20 - 29 | 6.83$ | 7.17$ |
30+ | 6.58$ | 6.91$ |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 1 | 8.03$ | 8.43$ |
2 - 2 | 7.63$ | 8.01$ |
3 - 4 | 7.39$ | 7.76$ |
5 - 9 | 7.23$ | 7.59$ |
10 - 19 | 7.07$ | 7.42$ |
20 - 29 | 6.83$ | 7.17$ |
30+ | 6.58$ | 6.91$ |
Transistor NPN, 15A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264 ( 2-21F2A ), 600V - 2SC5331-TOS. Transistor NPN, 15A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264 ( 2-21F2A ), 600V. Courant de collecteur: 15A. Boîtier: TO-264 ( TOP-3L ). Boîtier (selon fiche technique): TO-264 ( 2-21F2A ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 1.7 MHz. Gain hFE maxi: 38. Gain hFE mini: 10. Ic(puls): 30A. Marquage sur le boîtier: C5331. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 180W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Triple Diffused MESA Type'. Tf(max): 0.3us. Tf(min): 0.12us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tension de saturation VCE(sat): 3V. Vebo: 5V. Produit d'origine constructeur Toshiba. Quantité en stock actualisée le 16/06/2025, 09:25.
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