Transistor NPN, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 120V - 2SC2713-GR
| Quantité | HT | TTC |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 5.02$ | 5.27$ |
| 5 - 9 | 4.77$ | 5.01$ |
| 10 - 24 | 4.62$ | 4.85$ |
| 25 - 49 | 4.52$ | 4.75$ |
| 50 - 99 | 4.42$ | 4.64$ |
| 100 - 249 | 3.71$ | 3.90$ |
| 250 - 305 | 3.58$ | 3.76$ |
| Quantité | U.P | |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 5.02$ | 5.27$ |
| 5 - 9 | 4.77$ | 5.01$ |
| 10 - 24 | 4.62$ | 4.85$ |
| 25 - 49 | 4.52$ | 4.75$ |
| 50 - 99 | 4.42$ | 4.64$ |
| 100 - 249 | 3.71$ | 3.90$ |
| 250 - 305 | 3.58$ | 3.76$ |
Transistor NPN, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 120V - 2SC2713-GR. Transistor NPN, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 120V. Courant de collecteur: 0.1A. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 120V. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 100 MHz. Gain hFE maxi: 700. Gain hFE mini: 200. Remarque: sérigraphie/code CMS DG. Marquage sur le boîtier: DG. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 150mW. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA1163. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Type de transistor: NPN. Vcbo: 120V. Tension de saturation VCE(sat): 300mV. Produit d'origine constructeur Toshiba. Quantité en stock actualisée le 15/06/2025, 08:25.
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