Transistor canal P, soudure sur circuit imprimé (CMS), SO8, MS-012, -30V, -5.7A - SI4431BDY-T1-E3
| Quantité | HT | TTC |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 2.62$ | 2.75$ |
| 5 - 9 | 2.49$ | 2.61$ |
| 10 - 24 | 2.41$ | 2.53$ |
| 25 - 49 | 2.36$ | 2.48$ |
| 50 - 99 | 2.31$ | 2.43$ |
| 100 - 249 | 1.64$ | 1.72$ |
| 250 - 18551 | 1.59$ | 1.67$ |
| Quantité | U.P | |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 2.62$ | 2.75$ |
| 5 - 9 | 2.49$ | 2.61$ |
| 10 - 24 | 2.41$ | 2.53$ |
| 25 - 49 | 2.36$ | 2.48$ |
| 50 - 99 | 2.31$ | 2.43$ |
| 100 - 249 | 1.64$ | 1.72$ |
| 250 - 18551 | 1.59$ | 1.67$ |
Transistor canal P, soudure sur circuit imprimé (CMS), SO8, MS-012, -30V, -5.7A - SI4431BDY-T1-E3. Transistor canal P, soudure sur circuit imprimé (CMS), SO8, MS-012, -30V, -5.7A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SO8. Boîtier (norme JEDEC): MS-012. Tension drain-source Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -5.7A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 8. Marquage du fabricant: SI4431BDY-T1-E3. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.03 Ohms @ -7.5A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -3V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 20 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 110 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 1600pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.5W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Produit d'origine constructeur Vishay (siliconix). Quantité en stock actualisée le 14/06/2025, 22:25.
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