Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 1.74$ | 1.83$ |
5 - 9 | 1.65$ | 1.73$ |
10 - 24 | 1.56$ | 1.64$ |
25 - 49 | 1.48$ | 1.55$ |
50 - 99 | 1.44$ | 1.51$ |
100 - 249 | 1.41$ | 1.48$ |
250+ | 1.34$ | 1.41$ |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 1.74$ | 1.83$ |
5 - 9 | 1.65$ | 1.73$ |
10 - 24 | 1.56$ | 1.64$ |
25 - 49 | 1.48$ | 1.55$ |
50 - 99 | 1.44$ | 1.51$ |
100 - 249 | 1.41$ | 1.48$ |
250+ | 1.34$ | 1.41$ |
Transistor canal P, 0.1A, 0.1A, DIP, DH-1 house, DIP-4, 100V - IRFD9120. Transistor canal P, 0.1A, 0.1A, DIP, DH-1 house, DIP-4, 100V. Id (T=25°C): 0.1A. Idss (maxi): 0.1A. Boîtier: DIP. Boîtier (selon fiche technique): DH-1 house, DIP-4. Tension Vds(max): 100V. Type de canal: P. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: FET. Fonction: transistor MOSFET canal P. Id (T=100°C): 0.6A. Nombre de connexions: 4. Dissipation de puissance maxi: 1.3W. Résistance passante Rds On: 0.6 Ohms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Quantité en stock actualisée le 29/04/2025, 12:25.
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