Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 3.42$ | 3.59$ |
5 - 9 | 3.25$ | 3.41$ |
10 - 24 | 3.08$ | 3.23$ |
25 - 49 | 2.91$ | 3.06$ |
50 - 76 | 2.84$ | 2.98$ |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 3.42$ | 3.59$ |
5 - 9 | 3.25$ | 3.41$ |
10 - 24 | 3.08$ | 3.23$ |
25 - 49 | 2.91$ | 3.06$ |
50 - 76 | 2.84$ | 2.98$ |
Transistor canal P, soudure sur circuit imprimé (CMS), D²-PAK, TO-263, -55V, -31A - IRF5305SPBF. Transistor canal P, soudure sur circuit imprimé (CMS), D²-PAK, TO-263, -55V, -31A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: D²-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-263. Tension drain-source Uds [V]: -55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -31A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: F5305S. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.06 Ohms @ -16A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -4V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 14 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 39 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 1200pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 110W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C. Quantité en stock actualisée le 29/04/2025, 00:25.
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