Transistor canal P, 8.8A, 1uA, SO, SO-8, 30 v - FDS4435BZ

Quantité	HT	TTC
1 - 4	2.01$	2.11$
5 - 9	1.91$	2.01$
10 - 24	1.81$	1.90$
25 - 49	1.71$	1.80$
50 - 99	1.67$	1.75$
100 - 139	1.63$	1.71$

Quantité	U.P
1 - 4	2.01$	2.11$
5 - 9	1.91$	2.01$
10 - 24	1.81$	1.90$
25 - 49	1.71$	1.80$
50 - 99	1.67$	1.75$
100 - 139	1.63$	1.71$

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Transistor canal P, 8.8A, 1uA, SO, SO-8, 30 v - FDS4435BZ. Transistor canal P, 8.8A, 1uA, SO, SO-8, 30 v. Id (T=25°C): 8.8A. Idss (maxi): 1uA. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 30 v. C (in): 1385pF. C (out): 275pF. Type de canal: P. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 29 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: contrôleur de charge batterie. Id(imp): 50A. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 2.5W. Résistance passante Rds On: 0.016 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 30 ns. Td(on): 10 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Technologie: canal P. Spec info: Niveau de protection ESD HBM de 3.8kV. Protection drain-source: non. Protection G-S: oui. Quantité en stock actualisée le 29/04/2025, 00:25.

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