Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 9 | 0.42$ | 0.44$ |
10 - 24 | 0.40$ | 0.42$ |
25 - 49 | 0.38$ | 0.40$ |
50 - 99 | 0.36$ | 0.38$ |
100 - 249 | 0.18$ | 0.19$ |
250 - 499 | 0.17$ | 0.18$ |
500 - 40615 | 0.16$ | 0.17$ |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 9 | 0.42$ | 0.44$ |
10 - 24 | 0.40$ | 0.42$ |
25 - 49 | 0.38$ | 0.40$ |
50 - 99 | 0.36$ | 0.38$ |
100 - 249 | 0.18$ | 0.19$ |
250 - 499 | 0.17$ | 0.18$ |
500 - 40615 | 0.16$ | 0.17$ |
Transistor canal P, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, TO-236AB, -50V, -0.13A - BSS84LT1G-PD. Transistor canal P, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, TO-236AB, -50V, -0.13A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): TO-236AB. Tension drain-source Uds [V]: -50V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -0.13A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: Dissipation de puissance maxi. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 10 Ohms @ -0.13A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -2V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 3.6 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 12 ns. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.225W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Capacité de grille Ciss [pF]: 36pF. Quantité en stock actualisée le 29/04/2025, 00:25.
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