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Composants et matériels électroniques, pour entreprises et particuliers
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Semi-conducteurs Transistors Transistors FET et MOSFET canal P

Transistor canal P, 12A, 1mA, TO-264 ( TOP-3L ), 2-21F1B, 200V - 2SJ201

Transistor canal P, 12A, 1mA, TO-264 ( TOP-3L ), 2-21F1B, 200V - 2SJ201
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Quantité HT TTC
1 - 1 18.47$ 19.39$
2 - 2 17.55$ 18.43$
3 - 4 17.18$ 18.04$
5 - 9 16.63$ 17.46$
10 - 14 16.26$ 17.07$
15 - 19 15.70$ 16.49$
20+ 15.15$ 15.91$
Quantité U.P
1 - 1 18.47$ 19.39$
2 - 2 17.55$ 18.43$
3 - 4 17.18$ 18.04$
5 - 9 16.63$ 17.46$
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Transistor canal P, 12A, 1mA, TO-264 ( TOP-3L ), 2-21F1B, 200V - 2SJ201. Transistor canal P, 12A, 1mA, TO-264 ( TOP-3L ), 2-21F1B, 200V. Id (T=25°C): 12A. Idss (maxi): 1mA. Boîtier: TO-264 ( TOP-3L ). Boîtier (selon fiche technique): 2-21F1B. Tension Vds(max): 200V. C (in): 1500pF. C (out): 430pF. Type de canal: P. Protection drain-source: non. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Application d'amplificateur haute puissance. Protection G-S: non. Marquage sur le boîtier: J201. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 150W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: Type MOS à canal P en silicium à effet de champ. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Tension grille/source VGS (off) max.: 2.8V. Tension grille/source VGS (off) min.: 0.8V. Produit d'origine constructeur Toshiba. Quantité en stock actualisée le 13/06/2025, 13:25.

Documentation technique

Produits équivalents :

En rupture de stock
ECW20P20

ECW20P20

Transistor canal P, 16A, 10mA, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 200V. Id (T=25°C): 16A. Idss (maxi): 10mA...
ECW20P20
Transistor canal P, 16A, 10mA, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 200V. Id (T=25°C): 16A. Idss (maxi): 10mA. Boîtier: TO-264 ( TOP-3L ). Boîtier (selon fiche technique): TO-264. Tension Vds(max): 200V. Brochage: 1 - G, 2 - S, 3 - D. C (in): 1850pF. C (out): 850pF. Type de canal: P. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Divers: Amplificateur de puissance HIFI. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Amplificateur de puissance AUDIO MOSFET. Protection G-S: non. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 250W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) ECW20N20. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 105 ns. Td(on): 150 ns. Technologie: Transistor de puissance MOSFET canal P. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 14V. Tension grille/source VGS (off) max.: 1.5V. Tension grille/source VGS (off) min.: 0.1V
ECW20P20
Transistor canal P, 16A, 10mA, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 200V. Id (T=25°C): 16A. Idss (maxi): 10mA. Boîtier: TO-264 ( TOP-3L ). Boîtier (selon fiche technique): TO-264. Tension Vds(max): 200V. Brochage: 1 - G, 2 - S, 3 - D. C (in): 1850pF. C (out): 850pF. Type de canal: P. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Divers: Amplificateur de puissance HIFI. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Amplificateur de puissance AUDIO MOSFET. Protection G-S: non. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 250W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) ECW20N20. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 105 ns. Td(on): 150 ns. Technologie: Transistor de puissance MOSFET canal P. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 14V. Tension grille/source VGS (off) max.: 1.5V. Tension grille/source VGS (off) min.: 0.1V
Lot de 1
31.27$ TTC
(29.78$ HT)
31.27$

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