Transistor canal P, 7A, 7A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 160V - 2SJ162
| Quantité | HT | TTC |
|---|---|---|
| 1 - 1 | 16.65$ | 17.48$ |
| 2 - 2 | 15.81$ | 16.60$ |
| 3 - 4 | 15.48$ | 16.25$ |
| 5 - 9 | 14.98$ | 15.73$ |
| 10 - 14 | 14.65$ | 15.38$ |
| 15 - 19 | 14.15$ | 14.86$ |
| 20+ | 13.65$ | 14.33$ |
| Quantité | U.P | |
|---|---|---|
| 1 - 1 | 16.65$ | 17.48$ |
| 2 - 2 | 15.81$ | 16.60$ |
| 3 - 4 | 15.48$ | 16.25$ |
| 5 - 9 | 14.98$ | 15.73$ |
| 10 - 14 | 14.65$ | 15.38$ |
| 15 - 19 | 14.15$ | 14.86$ |
| 20+ | 13.65$ | 14.33$ |
Transistor canal P, 7A, 7A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 160V - 2SJ162. Transistor canal P, 7A, 7A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 160V. Id (T=25°C): 7A. Idss (maxi): 7A. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Tension Vds(max): 160V. C (in): 900pF. C (out): 400pF. Type de canal: P. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Amplificateur de puissance basse fréquence. Protection G-S: oui. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 100W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 110 ns. Td(on): 230 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 15V. Tension grille/source VGS (off) min.: 0.15V. Produit d'origine constructeur Renesas Technology. Quantité en stock actualisée le 13/06/2025, 13:25.
Produits équivalents :
ECX10P20
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