Transistor canal N, 30A, 42A, 250uA, 0.036 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V - IRF1310N

Quantité	HT	TTC
1 - 4	2.59$	2.72$
5 - 9	2.46$	2.58$
10 - 24	2.33$	2.45$
25 - 49	2.20$	2.31$
50 - 99	2.15$	2.26$
100 - 128	1.95$	2.05$

Quantité	U.P
1 - 4	2.59$	2.72$
5 - 9	2.46$	2.58$
10 - 24	2.33$	2.45$
25 - 49	2.20$	2.31$
50 - 99	2.15$	2.26$
100 - 128	1.95$	2.05$

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Transistor canal N, 30A, 42A, 250uA, 0.036 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V - IRF1310N. Transistor canal N, 30A, 42A, 250uA, 0.036 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. Id (T=100°C): 30A. Id (T=25°C): 42A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.036 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 100V. C (in): 1900pF. C (out): 450pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 180 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: rapport dv/dt dynamique, commutation rapide. Id(imp): 140A. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 160W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 45 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Protection drain-source: non. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 02/05/2025, 16:25.

Documentation technique