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Composants et matériels électroniques, pour entreprises et particuliers
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Semi-conducteurs Transistors Transistors FET et MOSFET canal N

Transistor canal N, 2.02A, 3.2A, 10uA, 1.65 Ohms, TO-220, TO220, 300V - FQP3N30

Transistor canal N, 2.02A, 3.2A, 10uA, 1.65 Ohms, TO-220, TO220, 300V - FQP3N30
Quantité HT TTC
1 - 4 2.29$ 2.40$
5 - 9 2.18$ 2.29$
10 - 24 2.11$ 2.22$
25 - 49 2.06$ 2.16$
50 - 99 2.02$ 2.12$
100 - 249 1.95$ 2.05$
250+ 1.88$ 1.97$
Quantité U.P
1 - 4 2.29$ 2.40$
5 - 9 2.18$ 2.29$
10 - 24 2.11$ 2.22$
25 - 49 2.06$ 2.16$
50 - 99 2.02$ 2.12$
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Transistor canal N, 2.02A, 3.2A, 10uA, 1.65 Ohms, TO-220, TO220, 300V - FQP3N30. Transistor canal N, 2.02A, 3.2A, 10uA, 1.65 Ohms, TO-220, TO220, 300V. Id (T=100°C): 2.02A. Id (T=25°C): 3.2A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 1.65 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO220. Tension Vds(max): 300V. C (in): 175pF. C (out): 40pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 120ns. Type de transistor: MOSFET. Protection G-S: non. Id(imp): 12.8A. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 55W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 10 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: QFET, Enhancement mode power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Produit d'origine constructeur Fairchild. Quantité en stock actualisée le 16/06/2025, 23:25.

Documentation technique

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Quantité en stock : 22
STP4NK60Z

STP4NK60Z

Transistor canal N, 2.5A, 4A, 4A, 1.76 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. Id (T=100°C): 2.5A. Id (T=25°C)...
STP4NK60Z
Transistor canal N, 2.5A, 4A, 4A, 1.76 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. Id (T=100°C): 2.5A. Id (T=25°C): 4A. Idss (maxi): 4A. Résistance passante Rds On: 1.76 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 600V. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Transistor MOSFET de puissance protégé par Zener. Id(imp): 16A. Dissipation de puissance maxi: 70W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: SuperMESH
STP4NK60Z
Transistor canal N, 2.5A, 4A, 4A, 1.76 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. Id (T=100°C): 2.5A. Id (T=25°C): 4A. Idss (maxi): 4A. Résistance passante Rds On: 1.76 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 600V. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Transistor MOSFET de puissance protégé par Zener. Id(imp): 16A. Dissipation de puissance maxi: 70W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: SuperMESH
Lot de 1
2.80$ TTC
(2.67$ HT)
2.80$
Quantité en stock : 33
FQP3P50

FQP3P50

Transistor canal P, 2.7A, 10uA, TO-220, TO220, 500V. Id (T=25°C): 2.7A. Idss (maxi): 10uA. Boîtier...
FQP3P50
Transistor canal P, 2.7A, 10uA, TO-220, TO220, 500V. Id (T=25°C): 2.7A. Idss (maxi): 10uA. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO220. Tension Vds(max): 500V. C (in): 510pF. C (out): 70pF. Type de canal: P. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 270 ns. Type de transistor: MOSFET. Protection G-S: non. Id(imp): 10.8A. Id (T=100°C): 1.71A. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 85W. Résistance passante Rds On: 3.9 Ohms. RoHS: oui. Spec info: faible charge de porte (typ 18nC). Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 12 ns. Td(on): 35 ns. Technologie: QFET, Enhancement mode power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V
FQP3P50
Transistor canal P, 2.7A, 10uA, TO-220, TO220, 500V. Id (T=25°C): 2.7A. Idss (maxi): 10uA. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO220. Tension Vds(max): 500V. C (in): 510pF. C (out): 70pF. Type de canal: P. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 270 ns. Type de transistor: MOSFET. Protection G-S: non. Id(imp): 10.8A. Id (T=100°C): 1.71A. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 85W. Résistance passante Rds On: 3.9 Ohms. RoHS: oui. Spec info: faible charge de porte (typ 18nC). Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 12 ns. Td(on): 35 ns. Technologie: QFET, Enhancement mode power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V
Lot de 1
2.43$ TTC
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