Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 1 | 9.35$ | 9.82$ |
2 - 2 | 8.88$ | 9.32$ |
3 - 4 | 8.60$ | 9.03$ |
5 - 9 | 8.42$ | 8.84$ |
10 - 19 | 8.23$ | 8.64$ |
20 - 29 | 7.95$ | 8.35$ |
30+ | 7.67$ | 8.05$ |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 1 | 9.35$ | 9.82$ |
2 - 2 | 8.88$ | 9.32$ |
3 - 4 | 8.60$ | 9.03$ |
5 - 9 | 8.42$ | 8.84$ |
10 - 19 | 8.23$ | 8.64$ |
20 - 29 | 7.95$ | 8.35$ |
30+ | 7.67$ | 8.05$ |
Transistor FQA70N15. Quantité par boîtier: 1 db. Spec.info: Low gate charge(typical 135nC). Unité de conditionnement: 30 db. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. C (in): 4150pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. C (out): 840pF. Protection drain-source: diode. Fonction: Commutation rapide. Protection G-S: NINCS. Tension grille/source Vgs: 25V. Boîtier: TO-3PN ( 2-16C1B ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PN. Id (T=100°C): 50A. Id (T=25°C): 70A. Idss (min): 1uA. Id(imp): 280A. Idss (maxi): 10uA. Nombre de connexions: 3 pièces. Résistance passante Rds On: 0.023 Ohms. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Dissipation de puissance maxi: 330W. Technologie: Technologie DMOS. ROHS: oui. Td(off): 340 ns. Td(on): 60 ns. Trr Diode (Min.): 150 ns. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 2V. Tension Vds(max): 150V. Quantité en stock actualisée le 16/06/2025, 17:25.
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