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Composants et matériels électroniques, pour entreprises et particuliers
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Semi-conducteurs Transistors Transistors FET et MOSFET canal N

Transistor canal N, 12A, 1mA, TO-264 ( TOP-3L ), 2-21F1B, 200V - 2SK1530

Transistor canal N, 12A, 1mA, TO-264 ( TOP-3L ), 2-21F1B, 200V - 2SK1530
Quantité HT TTC
1 - 1 17.76$ 18.65$
2 - 2 16.88$ 17.72$
3 - 4 16.52$ 17.35$
5 - 9 15.99$ 16.79$
10 - 14 15.63$ 16.41$
15 - 19 15.10$ 15.86$
20+ 14.57$ 15.30$
Quantité U.P
1 - 1 17.76$ 18.65$
2 - 2 16.88$ 17.72$
3 - 4 16.52$ 17.35$
5 - 9 15.99$ 16.79$
10 - 14 15.63$ 16.41$
15 - 19 15.10$ 15.86$
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Transistor canal N, 12A, 1mA, TO-264 ( TOP-3L ), 2-21F1B, 200V - 2SK1530. Transistor canal N, 12A, 1mA, TO-264 ( TOP-3L ), 2-21F1B, 200V. Id (T=25°C): 12A. Idss (maxi): 1mA. Boîtier: TO-264 ( TOP-3L ). Boîtier (selon fiche technique): 2-21F1B. Tension Vds(max): 200V. C (in): 900pF. C (out): 180pF. Type de canal: N. Protection drain-source: non. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Application d'amplificateur haute puissance. Protection G-S: non. Marquage sur le boîtier: K1530. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 150W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: Type MOS à canal N en silicium à effet de champ. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Tension grille/source VGS (off) max.: 2.8V. Tension grille/source VGS (off) min.: 0.8V. Produit d'origine constructeur Toshiba. Quantité en stock actualisée le 14/06/2025, 20:25.

Documentation technique

Produits équivalents :

Quantité en stock : 18
ECW20N20

ECW20N20

Transistor canal N, 16A, 10mA, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 200V. Id (T=25°C): 16A. Idss (maxi): 10mA...
ECW20N20
Transistor canal N, 16A, 10mA, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 200V. Id (T=25°C): 16A. Idss (maxi): 10mA. Boîtier: TO-264 ( TOP-3L ). Boîtier (selon fiche technique): TO-264. Tension Vds(max): 200V. Brochage: 1 - G, 2 - S, 3 - D. C (in): 900pF. C (out): 500pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Divers: Amplificateur de puissance HIFI. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Amplificateur de puissance AUDIO MOSFET. Protection G-S: non. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 250W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) ECW20P20. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 90 ns. Td(on): 155 ns. Technologie: N–CHANNEL POWER MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 14V. Tension grille/source VGS (off) max.: 1.5V. Tension grille/source VGS (off) min.: 0.1V
ECW20N20
Transistor canal N, 16A, 10mA, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 200V. Id (T=25°C): 16A. Idss (maxi): 10mA. Boîtier: TO-264 ( TOP-3L ). Boîtier (selon fiche technique): TO-264. Tension Vds(max): 200V. Brochage: 1 - G, 2 - S, 3 - D. C (in): 900pF. C (out): 500pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Divers: Amplificateur de puissance HIFI. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Amplificateur de puissance AUDIO MOSFET. Protection G-S: non. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 250W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) ECW20P20. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 90 ns. Td(on): 155 ns. Technologie: N–CHANNEL POWER MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 14V. Tension grille/source VGS (off) max.: 1.5V. Tension grille/source VGS (off) min.: 0.1V
Lot de 1
31.27$ TTC
(29.78$ HT)
31.27$

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