Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 5.00$ | 5.25$ |
5 - 9 | 4.75$ | 4.99$ |
10 - 24 | 4.60$ | 4.83$ |
25 - 49 | 4.50$ | 4.73$ |
50 - 99 | 4.40$ | 4.62$ |
100 - 249 | 4.25$ | 4.46$ |
250+ | 4.10$ | 4.31$ |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 5.00$ | 5.25$ |
5 - 9 | 4.75$ | 4.99$ |
10 - 24 | 4.60$ | 4.83$ |
25 - 49 | 4.50$ | 4.73$ |
50 - 99 | 4.40$ | 4.62$ |
100 - 249 | 4.25$ | 4.46$ |
250+ | 4.10$ | 4.31$ |
Transistor canal N, 4A, 300uA, 3 Ohms, TO-220, TO-220, 1000V - 2SK1119. Transistor canal N, 4A, 300uA, 3 Ohms, TO-220, TO-220, 1000V. Id (T=25°C): 4A. Idss (maxi): 300uA. Résistance passante Rds On: 3 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 1000V. C (in): 700pF. C (out): 100pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET N. Protection G-S: non. Id(imp): 12A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 100W. Spec info: High Speed High Current Switching Applications. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 70 ns. Td(on): 30 ns. Technologie: transistor MOSFET canal N. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Produit d'origine constructeur Toshiba. Quantité en stock actualisée le 13/06/2025, 12:25.
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