Transistor canal N, 12.6A, 20A, 100uA, 0.135 Ohms, TO-247, TO-247, 600V - STW26NM60N

Quantité	HT	TTC
1 - 4	7.55$	7.93$
5 - 9	7.18$	7.54$
10 - 24	6.80$	7.14$
25 - 49	6.42$	6.74$
50 - 99	6.27$	6.58$
100 - 104	5.53$	5.81$

Quantité	U.P
1 - 4	7.55$	7.93$
5 - 9	7.18$	7.54$
10 - 24	6.80$	7.14$
25 - 49	6.42$	6.74$
50 - 99	6.27$	6.58$
100 - 104	5.53$	5.81$

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Transistor canal N, 12.6A, 20A, 100uA, 0.135 Ohms, TO-247, TO-247, 600V - STW26NM60N. Transistor canal N, 12.6A, 20A, 100uA, 0.135 Ohms, TO-247, TO-247, 600V. Id (T=100°C): 12.6A. Id (T=25°C): 20A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.135 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Tension Vds(max): 600V. C (in): 1800pF. C (out): 115pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 450 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: circuits de commutation. Id(imp): 80A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 26NM60N. Dissipation de puissance maxi: 140W. RoHS: oui. Poids: 4.51g. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 13 ns. Td(on): 85 ns. Technologie: MDmesh PpwerMOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 3. Unité de conditionnement: 30. Spec info: Faible capacité d'entrée et charge de grille. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 26/04/2025, 23:25.

Documentation technique