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Composants et matériels électroniques, pour entreprises et particuliers
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Transistor canal N, 2.4A, 2.4A, 3.3 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V, 600V, 3.6 Ohms - STP3NK60ZFP

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1 - 4 1.67$ 1.75$
5 - 9 1.59$ 1.67$
10 - 24 1.54$ 1.62$
25 - 49 1.51$ 1.59$
50 - 99 1.47$ 1.54$
100 - 249 1.44$ 1.51$
250 - 1875245 1.58$ 1.66$
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Transistor canal N, 2.4A, 2.4A, 3.3 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V, 600V, 3.6 Ohms - STP3NK60ZFP. Transistor canal N, 2.4A, 2.4A, 3.3 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V, 600V, 3.6 Ohms. Id (T=25°C): 2.4A. Idss (maxi): 2.4A. Résistance passante Rds On: 3.3 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Tension Vds(max): 600V. Tension drain - source (Vds): 600V. Résistance passante Rds On: 3.6 Ohms. Type de canal: N. Dissipation de puissance maxi: 20W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: SuperMESH Power MOSFET. Type de transistor: transistor de puissance MOSFET. Courant de drain maxi: 2.4A. Produit d'origine constructeur Stmicroelectronics. Quantité en stock actualisée le 15/06/2025, 06:25.

Documentation technique

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Transistor canal N, 1.57A, 2.5A, 50uA, 3.8 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 800V. Id (T=100°C): 1.57A. Id (T=25°C): 2.5A. Idss (maxi): 50uA. Résistance passante Rds On: 3.8 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Tension Vds(max): 800V. C (in): 485pF. C (out): 57pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 384 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: circuits de commutation. Protection G-S: oui. Id(imp): 10A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: F3NK80Z. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 25W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 36ns. Td(on): 17 ns. Technologie: Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V
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