Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 1.50$ | 1.58$ |
5 - 9 | 1.42$ | 1.49$ |
10 - 24 | 1.35$ | 1.42$ |
25 - 49 | 1.27$ | 1.33$ |
50 - 99 | 1.24$ | 1.30$ |
100 - 225 | 1.21$ | 1.27$ |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 1.50$ | 1.58$ |
5 - 9 | 1.42$ | 1.49$ |
10 - 24 | 1.35$ | 1.42$ |
25 - 49 | 1.27$ | 1.33$ |
50 - 99 | 1.24$ | 1.30$ |
100 - 225 | 1.21$ | 1.27$ |
Transistor canal N, 28A, 32A, 32A, 0.028 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 30 v - SPB32N03L. Transistor canal N, 28A, 32A, 32A, 0.028 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 30 v. Id (T=100°C): 28A. Id (T=25°C): 32A. Idss (maxi): 32A. Résistance passante Rds On: 0.028 Ohms. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): D2PAK ( TO-263 ). Tension Vds(max): 30 v. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET à commande de porte par niveau logique. Dissipation de puissance maxi: 100W. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: SIPMOS Power Transistor. Quantité par boîtier: 1. Quantité en stock actualisée le 26/04/2025, 20:25.
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