Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 2.48$ | 2.60$ |
5 - 9 | 2.36$ | 2.48$ |
10 - 24 | 2.23$ | 2.34$ |
25 - 49 | 2.11$ | 2.22$ |
50 - 99 | 2.06$ | 2.16$ |
100 - 249 | 2.01$ | 2.11$ |
250 - 2256 | 1.91$ | 2.01$ |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 2.48$ | 2.60$ |
5 - 9 | 2.36$ | 2.48$ |
10 - 24 | 2.23$ | 2.34$ |
25 - 49 | 2.11$ | 2.22$ |
50 - 99 | 2.06$ | 2.16$ |
100 - 249 | 2.01$ | 2.11$ |
250 - 2256 | 1.91$ | 2.01$ |
Transistor canal P, 7.1A, 7.1A, SO, SO-8, 30 v - SI4925BDY. Transistor canal P, 7.1A, 7.1A, SO, SO-8, 30 v. Id (T=25°C): 7.1A. Idss (maxi): 7.1A. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 30 v. Type de canal: P. Trr Diode (Min.): 60 ns. Id (T=100°C): 5.7A. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 1uA. Résistance passante Rds On: 0.02 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Quantité par boîtier: 2. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 29/04/2025, 00:25.
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