Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, 60V, 50A, 0.022 Ohms, TO-220, TO-220AB, 60V, 50 - RFP50N06

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, 60V, 50A, 0.022 Ohms, TO-220, TO-220AB, 60V, 50 - RFP50N06. Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, 60V, 50A, 0.022 Ohms, TO-220, TO-220AB, 60V, 50. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Tension drain-source Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 50A. Résistance passante Rds On: 0.022 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 60V. Boîtier (norme JEDEC): 50. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: RFP50N06. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.022 Ohms @ 50A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 12 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 37 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 2020pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 131W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 37 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C. Quantité en stock actualisée le 27/04/2025, 16:25.