Ponts de redressement à diodes

Pont redresseur, 1200V, 86A. VRRM: 1200V. IF(AV): 86A. Structure diélectrique: Pont de diodes. Fonction: pont de redressement triphasé. Pont de diodes triphasé. IFSM: 530A. IRM (max): 3mA. IRM (min): 0.5mA. Dimensions des connexions: 0.75x12.3mm. Dimensions: 47x30x8mm. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier (selon fiche technique): ECO-PAC 1. Température de fonctionnement: -40...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.5V. Tension de seuil Vf (min): 1.5V. Nombre de connexions: 5. Spec info: IFSM--45° t=10ms (50Hz) 530A, t=8.3ms (60Hz) 570A

Pont redresseur. Distance entre connexions (pas): 7.5mm. Dimensions: 25x15x4.5mm

Pont redresseur, 250V, 5A. VRRM: 250V. IF(AV): 5A. Cj: 15pF. Quantité par boîtier: 4. Structure diélectrique: Pont de diodes. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: pont de redressement monophasé. IFSM: 30A. IRM (max): 500uA. IRM (min): 5uA. Marquage sur le boîtier: B250C5000A. Nombre de connexions: 4. Distance entre connexions (pas): 10x7.5x7.5mm. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: SIP / SIL. Boîtier (selon fiche technique): 40x21x6.5mm. Température de fonctionnement: -55...+125°C. Tension de seuil Vf (max): 1V. Tension de seuil Vf (min): 1V

Pont redresseur, 100V, 6A. VRRM: 100V. IF(AV): 6A. Cj: 186pF. Quantité par boîtier: 4. Structure diélectrique: Pont de diodes. Matériau semi-conducteur: silicium. IFSM: 250A. IRM (max): 500uA. IRM (min): 10uA. Nombre de connexions: 4. Distance entre connexions (pas): 5.08x5.08mm. Dimensions: 23x17x6.5mm. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: SIP / SIL. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1V. Tension de seuil Vf (min): 1V. Spec info: IFSM--200Ap (t=8.3ms)

Pont redresseur, 0.8A, 250V, 40A. Courant nominal [A]: 0.8A. Tension de crête Urrm [V]: 250V. Courant de crête Ifsm [A]: 40A. RoHS: oui. Famille de composants: Pont de diodes (Graetz). Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: TO-269AA. Boîtier (norme JEDEC): TO-269AA. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 4. Tension de seuil Uf [V]: 1.1V. Plage de température de fonctionnement min (°C): -50°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Pont redresseur, 600V, 1A. VRRM: 600V. IF(AV): 1A. Structure diélectrique: Pont de diodes. Matériau semi-conducteur: silicium. Distance entre connexions (pas): 7.62mm. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SMD. Boîtier (selon fiche technique): SMD-4. Quantité par boîtier: 4. Nombre de connexions: 4

Pont redresseur, 800V, 1A. VRRM: 800V. IF(AV): 1A. Structure diélectrique: Pont de diodes. Matériau semi-conducteur: silicium. Distance entre connexions (pas): 7.62mm. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SMD. Boîtier (selon fiche technique): SMD-4. Quantité par boîtier: 4. Nombre de connexions: 4

Pont redresseur, 600V, 1A. VRRM: 600V. IF(AV): 1A. Structure diélectrique: Pont de diodes. Matériau semi-conducteur: silicium. Distance entre connexions (pas): 7.62mm. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DIP. Boîtier (selon fiche technique): DIP-4. Quantité par boîtier: 4. Nombre de connexions: 4

Pont redresseur, 0.8A, 600V, 40A. Courant nominal [A]: 0.8A. Tension de crête Urrm [V]: 600V. Courant de crête Ifsm [A]: 40A. RoHS: oui. Famille de composants: Pont de diodes (Graetz). Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: TO-269AA. Boîtier (norme JEDEC): TO-269AA. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 4. Tension de seuil Uf [V]: 1.1V. Plage de température de fonctionnement min (°C): -50°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Pont redresseur, 800V, 0.8A. VRRM: 800V. IF(AV): 0.8A. Structure diélectrique: Pont de diodes. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Pont redresseur. IFSM: 40A. IRM (max): 1mA. IRM (min): 10uA. Distance entre connexions (pas): 2.54mm. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: TO-269AA (MBS). Boîtier (selon fiche technique): MiniDIL / SLIM. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 0.95V. Tension de seuil Vf (min): 1.2V. Nombre de connexions: 4

Pont redresseur, 0.8A, 160V, 40A. Courant nominal [A]: 0.8A. Tension de crête Urrm [V]: 160V. Courant de crête Ifsm [A]: 40A. RoHS: oui. Famille de composants: Pont de diodes (Graetz). Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: TO-269AA. Boîtier (norme JEDEC): TO-269AA. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 4. Tension de seuil Uf [V]: 1.1V. Plage de température de fonctionnement min (°C): -50°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Pont redresseur, 17A, 1.6 kV, 320A. Courant nominal [A]: 17A. Tension de crête Urrm [V]: 1.6 kV. Courant de crête Ifsm [A]: 320A. RoHS: oui. Famille de composants: Pont de diodes (Graetz). Boîtier: 28.8x28.8x10mm. Nombre de bornes: 4. Tension de seuil Uf [V]: 2.2V. Plage de température de fonctionnement min (°C): -40°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Configuration: raccordement par cosses faston

Pont redresseur, 28A, 1.2 kV, 280A. Courant nominal [A]: 28A. Tension de crête Urrm [V]: 1.2 kV. Courant de crête Ifsm [A]: 280A. RoHS: oui. Famille de composants: Pont à diodes contrôlées (Graetz). Boîtier: 63x32x22mm. Nombre de bornes: 4. Tension de seuil Uf [V]: 2.25V. Plage de température de fonctionnement min (°C): -40°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +125°C. Configuration: raccordement par cosses faston

Pont redresseur, 20A, 1.6 kV, 320A. Courant nominal [A]: 20A. Tension de crête Urrm [V]: 1.6 kV. Courant de crête Ifsm [A]: 320A. RoHS: oui. Famille de composants: Pont de redressement triphasé à diodes. Boîtier: 28.8x28.8x10mm. Nombre de bornes: 5. Tension de seuil Uf [V]: 2.2V. Plage de température de fonctionnement min (°C): -40°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Configuration: raccordement par cosses faston

Pont redresseur, 800V, 25A. VRRM: 800V. IF(AV): 25A. Structure diélectrique: Pont de diodes. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Pont redresseur. Triphasé: 0. IFSM: 300A. Equivalences: D25XB60, D25SB80, TS25P06G, GBJ2508, GBK25K. Distance entre connexions (pas): 10x7.5x7.5mm. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier (selon fiche technique): 30x20x4.6mm ( SIL Bridge ). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.1V. Tension de seuil Vf (min): 1.1V. Nombre de connexions: 4. Spec info: 300Ap Peak Forward Surge Current, 8.3ms Single

Pont redresseur, 35A, 1700V, 475A. Courant nominal [A]: 35A. Tension de crête Urrm [V]: 1700V. Courant de crête Ifsm [A]: 475A. RoHS: oui. Famille de composants: Pont de redressement triphasé à diodes. Boîtier: 28.5x28.5x10mm. Configuration: Vissé. Nombre de bornes: 5. Tension de seuil Uf [V]: 1.19V. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Pont redresseur, 35A, 1 kV, 475A. Courant nominal [A]: 35A. Tension de crête Urrm [V]: 1 kV. Courant de crête Ifsm [A]: 475A. RoHS: oui. Famille de composants: Pont de diodes (Graetz). Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: 28.6x28.6x7.7mm. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 4. Tension de seuil Uf [V]: 1.1V. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Pont redresseur, 86A, 1.6 kV, 530A. Courant nominal [A]: 86A. Tension de crête Urrm [V]: 1.6 kV. Courant de crête Ifsm [A]: 530A. RoHS: oui. Famille de composants: Pont de redressement triphasé à diodes. Boîtier: ECO-PAC1. Configuration: languettes à souder. Nombre de bornes: 5. Tension de seuil Uf [V]: 1.5V. Plage de température de fonctionnement min (°C): -40°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Pont redresseur, 600V, 1.5A. VRRM: 600V. IF(AV): 1.5A. Cj: 24pF. Quantité par boîtier: 4. Structure diélectrique: Pont de diodes. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Single Phase 1.5 AMPS. IFSM: 50A. Remarque: diamètre 10mm. IRM (max): 500uA. IRM (min): 10uA. Nombre de connexions: 4. Distance entre connexions (pas): 5.6x5.6mm. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -55...+125°C. Tension de seuil Vf (max): 1V. Tension de seuil Vf (min): 1V. Spec info: Ifsm--50Ap, (50-60Hz, t=8.3mS)

Pont redresseur, 1000V, 1.5A. VRRM: 1000V. IF(AV): 1.5A. Cj: 24pF. Quantité par boîtier: 4. Structure diélectrique: Pont de diodes. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Single Phase 1.5 AMPS. IFSM: 50A. Remarque: diamètre 10mm. IRM (max): 500uA. IRM (min): 10uA. Nombre de connexions: 4. Distance entre connexions (pas): 5.6x5.6mm. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -55...+125°C. Tension de seuil Vf (max): 1V. Tension de seuil Vf (min): 1V. Spec info: Ifsm--50Ap, (50-60Hz, t=8.3mS)