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Composants et matériels électroniques, pour entreprises et particuliers
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Transistor PNP, 500mA, TO-92, TO-92 ( Ammo Pack ), 300V - KSP92TA

Transistor PNP, 500mA, TO-92, TO-92 ( Ammo Pack ), 300V - KSP92TA
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Transistor PNP, 500mA, TO-92, TO-92 ( Ammo Pack ), 300V - KSP92TA. Transistor PNP, 500mA, TO-92, TO-92 ( Ammo Pack ), 300V. Courant de collecteur: 500mA. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92 ( Ammo Pack ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 300V. Diode BE: non. C (out): 6pF. Diode CE: non. Unité de conditionnement: 2000. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 50 MHz. Fonction: Transistor haute tension. Gain hFE maxi: 40. Gain hFE mini: 25. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: Transistor PNP au silicium épitaxial. Type de transistor: PNP. Vcbo: 300V. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V. Produit d'origine constructeur Fairchild. Quantité en stock actualisée le 14/06/2025, 19:25.

Documentation technique

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Transistor PNP, 0.5A, TO-92, TO-92 ( Ammo Pack ), 300V. Courant de collecteur: 0.5A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92 ( Ammo Pack ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 300V. Diode BE: non. Diode CE: non. Conditionnement: rouleau. Unité de conditionnement: 2000. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 50 MHz. Fonction: Transistor haute tension. Gain hFE maxi: 40. Gain hFE mini: 25. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) MPSA42. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 300V. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V
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Transistor PNP, 0.5A, TO-92, TO-92 ( Ammo Pack ), 300V. Courant de collecteur: 0.5A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92 ( Ammo Pack ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 300V. Diode BE: non. Diode CE: non. Conditionnement: rouleau. Unité de conditionnement: 2000. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 50 MHz. Fonction: Transistor haute tension. Gain hFE maxi: 40. Gain hFE mini: 25. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) MPSA42. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 300V. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V
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