Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 2.00$ | 2.10$ |
5 - 9 | 1.90$ | 2.00$ |
10 - 24 | 1.80$ | 1.89$ |
25 - 49 | 1.70$ | 1.79$ |
50 - 99 | 1.66$ | 1.74$ |
100 - 249 | 1.46$ | 1.53$ |
250 - 392 | 1.39$ | 1.46$ |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 2.00$ | 2.10$ |
5 - 9 | 1.90$ | 2.00$ |
10 - 24 | 1.80$ | 1.89$ |
25 - 49 | 1.70$ | 1.79$ |
50 - 99 | 1.66$ | 1.74$ |
100 - 249 | 1.46$ | 1.53$ |
250 - 392 | 1.39$ | 1.46$ |
Transistor canal N, 33A, 47A, 250uA, 0.022 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V - IRLZ44N. Transistor canal N, 33A, 47A, 250uA, 0.022 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. Id (T=100°C): 33A. Id (T=25°C): 47A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.022 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 55V. C (in): 1700pF. C (out): 400pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 80 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Commande de porte par niveau logique. Id(imp): 160A. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 110W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 26 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 16V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 27/04/2025, 12:25.
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