Transistor canal N, 14A, TO-263, 400V - IRGS14C40LPBF
| Quantité | HT | TTC |
|---|---|---|
| 1 - 1 | 10.76$ | 11.30$ |
| 2 - 2 | 10.22$ | 10.73$ |
| 3 - 4 | 9.90$ | 10.40$ |
| 5 - 9 | 9.68$ | 10.16$ |
| 10 - 19 | 9.47$ | 9.94$ |
| 20 - 29 | 9.14$ | 9.60$ |
| 30+ | 8.82$ | 9.26$ |
| Quantité | U.P | |
|---|---|---|
| 1 - 1 | 10.76$ | 11.30$ |
| 2 - 2 | 10.22$ | 10.73$ |
| 3 - 4 | 9.90$ | 10.40$ |
| 5 - 9 | 9.68$ | 10.16$ |
| 10 - 19 | 9.47$ | 9.94$ |
| 20 - 29 | 9.14$ | 9.60$ |
| 30+ | 8.82$ | 9.26$ |
Transistor canal N, 14A, TO-263, 400V - IRGS14C40LPBF. Transistor canal N, 14A, TO-263, 400V. Ic(T=100°C): 14A. Boîtier (selon fiche technique): TO-263. Tension collecteur/émetteur Vceo: 400V. C (in): 825pF. C (out): 150pF. Diode CE: oui. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Diode au Germanium: non. Courant de collecteur: 20A. Remarque: > 6KV ESD Gate Protection. Marquage sur le boîtier: GS14C40L. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 208W. RoHS: oui. Spec info: IGBT with on-chip Gate-Emitter and Gate-Collector. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 8.3 ns. Td(on): 1.35 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.2V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 1.3V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 2.2V. Produit d'origine constructeur Infineon Technologies. Quantité en stock actualisée le 17/06/2025, 11:25.
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