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Transistor canal N, 3.9A, 6.1A, 500uA, 2 Ohms, TO-247, TO-247AC, 1000V - IRFPG50

Transistor canal N, 3.9A, 6.1A, 500uA, 2 Ohms, TO-247, TO-247AC, 1000V - IRFPG50
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Quantité HT TTC
1 - 1 7.92$ 8.32$
2 - 2 7.53$ 7.91$
3 - 4 7.13$ 7.49$
5 - 9 6.73$ 7.07$
10 - 19 6.58$ 6.91$
20 - 29 6.42$ 6.74$
30 - 52 6.18$ 6.49$
Quantité U.P
1 - 1 7.92$ 8.32$
2 - 2 7.53$ 7.91$
3 - 4 7.13$ 7.49$
5 - 9 6.73$ 7.07$
10 - 19 6.58$ 6.91$
20 - 29 6.42$ 6.74$
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Transistor canal N, 3.9A, 6.1A, 500uA, 2 Ohms, TO-247, TO-247AC, 1000V - IRFPG50. Transistor canal N, 3.9A, 6.1A, 500uA, 2 Ohms, TO-247, TO-247AC, 1000V. Id (T=100°C): 3.9A. Id (T=25°C): 6.1A. Idss (maxi): 500uA. Résistance passante Rds On: 2 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Tension Vds(max): 1000V. C (in): 2800pF. C (out): 250pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 630 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 24A. Idss (min): 100uA. Dissipation de puissance maxi: 190W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 130 ns. Td(on): 19 ns. Technologie: HEXFET® Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 2V. Vgs(th) max.: 4 v. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 27/04/2025, 22:25.

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