Transistor canal N, 2A, 3.1A, 500uA, 5 Ohms, TO-220, TO-220AB, 1000V - IRFBG30

Quantité	HT	TTC
1 - 4	3.09$	3.24$
5 - 9	2.94$	3.09$
10 - 24	2.79$	2.93$
25 - 49	2.63$	2.76$
50 - 99	2.57$	2.70$
100 - 161	2.32$	2.44$

Quantité	U.P
1 - 4	3.09$	3.24$
5 - 9	2.94$	3.09$
10 - 24	2.79$	2.93$
25 - 49	2.63$	2.76$
50 - 99	2.57$	2.70$
100 - 161	2.32$	2.44$

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Transistor canal N, 2A, 3.1A, 500uA, 5 Ohms, TO-220, TO-220AB, 1000V - IRFBG30. Transistor canal N, 2A, 3.1A, 500uA, 5 Ohms, TO-220, TO-220AB, 1000V. Id (T=100°C): 2A. Id (T=25°C): 3.1A. Idss (maxi): 500uA. Résistance passante Rds On: 5 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 1000V. C (in): 980pF. C (out): 140pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 410 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Dynamic dv/dt Rating. Id(imp): 12A. Idss (min): 100uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 125W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 89 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 29/04/2025, 17:25.

Documentation technique